| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| ·红外探测器 | 第10-11页 |
| ·超晶格材料 | 第11-13页 |
| ·InAs/Ga(In)Sb超晶格红外探测器研究现状 | 第13-14页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 探测用InAs/Ga(In)Sb超晶格设计上有关问题分析 | 第16-24页 |
| ·InAs/Ga(In)Sb超晶格材料的基本参数 | 第16页 |
| ·InAs/GaSb材料的能带结构 | 第16-19页 |
| ·影响InAs/Ga(In)Sb超晶格材料能带状况的主要因素 | 第19-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 材料的制备与分析技术 | 第24-48页 |
| ·材料的制备技术 | 第24-32页 |
| ·样品生长所用设备 | 第25-26页 |
| ·样品生长过程中原位监控(RHEED) | 第26-29页 |
| ·MBE生长机制 | 第29-32页 |
| ·样品的生长过程 | 第32-39页 |
| ·衬底材料的选择与预处理 | 第32-33页 |
| ·GaAs的生长 | 第33-35页 |
| ·GaSb缓冲层的生长 | 第35-36页 |
| ·InAs/GaSb超晶格材料的生长 | 第36-39页 |
| ·与材料有关的分析技术 | 第39-47页 |
| ·高分辨X射线衍射(HRXRD) | 第39-41页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第41-43页 |
| ·光致发光谱(PL谱) | 第43-44页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪(FTIR) | 第44-45页 |
| ·霍尔效应(HALL)测试 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 材料的结构质量分析 | 第48-67页 |
| ·影响结构质量的因素 | 第48-49页 |
| ·高分辨X射线衍射分析 | 第49-63页 |
| ·对称衍射和非对称衍射 | 第49-50页 |
| ·应变超晶格材料的X射线双晶衍射测定 | 第50-54页 |
| ·数据计算方程 | 第54-57页 |
| ·测试结果及分析 | 第57-63页 |
| ·AFM表面形貌表征 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 材料的光学和电学性能 | 第67-79页 |
| ·光学性能分析 | 第67-73页 |
| ·半导体光吸收和发光过程 | 第67-71页 |
| ·红外吸收谱测试与分析 | 第71-72页 |
| ·光致发光(PL)谱测试与分析 | 第72-73页 |
| ·电学性能分析 | 第73-78页 |
| ·不同温度下霍尔系数的绝对值与磁场的关系 | 第73-75页 |
| ·载流子浓度和载流子迁移率与温度的关系 | 第75-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 结论 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
