PECVD非晶硅薄膜制程工艺仿真建模
| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| ·课题的研究背景、来源、目的和意义 | 第13-17页 |
| ·新能源与半导体装备背景 | 第13-14页 |
| ·PECVD 工艺装备背景 | 第14-16页 |
| ·课题的来源 | 第16页 |
| ·课题研究目的和意义 | 第16-17页 |
| ·国内外研究现状和发展趋势 | 第17-23页 |
| ·薄膜硅太阳电池研究现状和发展趋势 | 第17-19页 |
| ·PECVD 设备及工艺研究现状和发展趋势 | 第19-23页 |
| ·论文研究的主要内容和结构 | 第23-25页 |
| ·本章 小结 | 第25-26页 |
| 第二章 PECVD 反应室的气流场模拟分析 | 第26-44页 |
| ·PECVD 的主要过程及系统构成 | 第26-29页 |
| ·薄膜生长的主要过程 | 第26-27页 |
| ·PECVD 系统构成 | 第27-29页 |
| ·PECVD 中气体的输运过程 | 第29-33页 |
| ·气体的输运过程 | 第29-31页 |
| ·沉积速度与匀流系统结构尺寸 | 第31-33页 |
| ·布气系统气流分布数学模型建立 | 第33-36页 |
| ·数学模型的建立 | 第34-35页 |
| ·边界条件的确定 | 第35-36页 |
| ·仿真结果及分析 | 第36-43页 |
| ·匀流板气流模拟结果及对比分析 | 第36-38页 |
| ·进气口与匀流板间距对均匀性的影响 | 第38-41页 |
| ·进气管末端管口形状对气流均匀性的影响 | 第41-42页 |
| ·压强对气流均匀性的的影响 | 第42-43页 |
| ·本章 小结 | 第43-44页 |
| 第三章 非晶硅薄膜生长工艺参数模型建立及模拟仿真 | 第44-66页 |
| ·非晶硅薄膜生长的物理化学原理 | 第44-50页 |
| ·氢化非晶硅（a-Si:H）结构特点 | 第44-46页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的生长 | 第46-50页 |
| ·PECVD 薄膜生长过程的模拟方法 | 第50-59页 |
| ·成膜质量与制程参数关系 | 第50-52页 |
| ·数学模型与几何模型建立 | 第52-53页 |
| ·模拟仿真结果与讨论 | 第53-59页 |
| ·影响沉积速率的正交模拟与结果分析 | 第59-65页 |
| ·实验设计与结果方差分析 | 第59-62页 |
| ·模拟结果讨论 | 第62-65页 |
| ·本章 小结 | 第65-66页 |
| 第四章 PECVD 的非晶硅薄膜生长多物理场模拟 | 第66-96页 |
| ·非晶硅材料的能带结构和电学性能 | 第66-68页 |
| ·等离子体基本特性及其对成膜的影响 | 第68-78页 |
| ·等离子体的基本特征 | 第68-71页 |
| ·辉光放电中的等离子体反应 | 第71-76页 |
| ·等离子体对成膜的影响 | 第76-78页 |
| ·薄膜生长的多物理场模拟 | 第78-86页 |
| ·磁流体动力学方程 | 第78-80页 |
| ·辉光放电沉积装置 | 第80-82页 |
| ·薄膜生长的多物理场模拟 | 第82-86页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第86-94页 |
| ·本章 小结 | 第94-96页 |
| 第五章 试验测试分析与验证 | 第96-107页 |
| ·薄膜生长试验设备 | 第96-97页 |
| ·测试设备及测试方法 | 第97-101页 |
| ·薄膜性能参数的测试方法 | 第98页 |
| ·椭圆偏振光谱仪的基本原理 | 第98-101页 |
| ·试验与测试结果对比分析 | 第101-106页 |
| ·检测方法 | 第101-103页 |
| ·实验与测试结果对比分析 | 第103-106页 |
| ·本章 小结 | 第106-107页 |
| 第六章 结论 | 第107-110页 |
| ·主要研究的工作 | 第107-108页 |
| ·创造性研究成果 | 第108页 |
| ·今后需要研究的问题 | 第108-109页 |
| ·本章 小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-120页 |
| 附录一 符号表 | 第120-124页 |
| 附录二 图表清单 | 第124-127页 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文和专利 | 第127-129页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第129-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
