Sol-Gel法制备AZO薄膜及其性能研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·ZnO薄膜的基本性质 | 第10-14页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·ZnO的压电特性 | 第11-12页 |
| ·ZnO的光电特性 | 第12页 |
| ·ZnO的缺陷与掺杂 | 第12-14页 |
| ·AZO薄膜的性质与应用 | 第14-16页 |
| ·AZO薄膜的性质 | 第14-15页 |
| ·AZO薄膜的应用 | 第15-16页 |
| ·AZO薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| ·磁控溅射法 | 第16-17页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第17页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第17页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第17页 |
| ·喷雾热分解法 | 第17-18页 |
| ·AZO薄膜的研究现状和发展趋势 | 第18-19页 |
| ·AZO薄膜的研究现状 | 第18-19页 |
| ·AZO薄膜的发展趋势 | 第19页 |
| ·本课题的研究思路 | 第19-21页 |
| 第2章 Sol-gel法镀膜原理 | 第21-24页 |
| ·Sol-gel法基本原理 | 第21-22页 |
| ·水解反应 | 第21页 |
| ·聚合反应 | 第21-22页 |
| ·Sol-gel法工艺流程 | 第22-24页 |
| ·均相溶液的制备 | 第22页 |
| ·溶胶制备 | 第22页 |
| ·凝胶化过程 | 第22-23页 |
| ·凝胶的干燥热处理 | 第23-24页 |
| 第3章 实验方案及表征手段 | 第24-29页 |
| ·实验原料 | 第24页 |
| ·AZO薄膜制备工艺 | 第24-26页 |
| ·工艺流程图 | 第24-25页 |
| ·基片的清洗 | 第25页 |
| ·溶胶的配制 | 第25页 |
| ·匀胶镀膜 | 第25-26页 |
| ·退火处理 | 第26页 |
| ·实验的表征手段 | 第26-29页 |
| ·X射线衍射测晶体结构 | 第26-27页 |
| ·扫描电镜测表面形貌 | 第27页 |
| ·霍尔效应仪测电学性能 | 第27-28页 |
| ·荧光光谱仪和紫外分光光度计测光学性能 | 第28-29页 |
| 第4章 实验分析与讨论 | 第29-56页 |
| ·探讨制备纯氧化锌薄膜的最佳工艺条件 | 第29-32页 |
| ·锌离子浓度对氧化锌薄膜的影响 | 第29-30页 |
| ·退火温度对氧化锌薄膜的影响 | 第30-31页 |
| ·退火时间对氧化锌薄膜的影响 | 第31-32页 |
| ·不同衬底对AZO薄膜的影响 | 第32-39页 |
| ·不同衬底对AZO薄膜结构的影响 | 第32-34页 |
| ·不同衬底对AZO薄膜形貌的影响 | 第34-35页 |
| ·不同衬底对AZO薄膜电学性能的影响 | 第35-37页 |
| ·不同衬底对AZO薄膜光学性能的影响 | 第37-39页 |
| ·不同掺杂浓度对AZO薄膜的影响 | 第39-43页 |
| ·不同掺杂浓度对AZO薄膜结构的影响 | 第39-40页 |
| ·不同掺杂浓度对AZO薄膜形貌的影响 | 第40-41页 |
| ·不同掺杂浓度对AZO薄膜电学性能的影响 | 第41-42页 |
| ·不同掺杂浓度对AZO薄膜光学性能的影响 | 第42-43页 |
| ·梯度掺杂对AZO薄膜的影响 | 第43-48页 |
| ·梯度掺杂对AZO薄膜结构的影响 | 第43-45页 |
| ·梯度掺杂对AZO薄膜形貌的影响 | 第45-46页 |
| ·梯度掺杂对AZO薄膜电学性能的影响 | 第46-47页 |
| ·梯度掺杂对AZO薄膜光学性能的影响 | 第47-48页 |
| ·缓冲层对AZO薄膜的影响 | 第48-53页 |
| ·MgO薄膜的制备 | 第48-49页 |
| ·MgO缓冲层对AZO薄膜形貌的影响 | 第49-51页 |
| ·MgO缓冲层对AZO薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| ·MgO缓冲层对AZO薄膜光学性能的影响 | 第52-53页 |
| ·不同因素对AZO薄膜禁带宽度的影响 | 第53-56页 |
| ·不同退火温度对AZO薄膜禁带宽度的影响 | 第53-54页 |
| ·不同掺杂浓度对AZO薄膜禁带宽度的影响 | 第54页 |
| ·梯度掺杂对AZO薄膜禁带宽度的影响 | 第54-56页 |
| 第5章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63页 |
