PLD低温制备富硅SiO2薄膜及其应用
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-13页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·薄膜的结构与应用 | 第10-12页 |
| ·Si0_2 薄膜微结构特点 | 第10-11页 |
| ·Si0_2 薄膜的应用 | 第11-12页 |
| ·小结 | 第12-13页 |
| 第2章 薄膜生长理论与表征技术 | 第13-24页 |
| ·薄膜生长理论 | 第13-16页 |
| ·原子吸附、扩散和凝结过程 | 第13-14页 |
| ·核的形成与生长 | 第14-15页 |
| ·薄膜的形成 | 第15-16页 |
| ·薄膜的表征测试技术 | 第16-23页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第16页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第16-17页 |
| ·红外光谱（IR） | 第17-19页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第19-21页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第21-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 第3章 富硅Si0_2薄膜的制备与表征 | 第24-43页 |
| ·薄膜的常用制备方法 | 第24-26页 |
| ·等离子体增强化学气相淀积(PECVD) | 第24页 |
| ·热丝化学气相淀积(HFCVD) | 第24-25页 |
| ·磁控溅射法(MSP) | 第25页 |
| ·高剂量离子注入(HDII) | 第25-26页 |
| ·激光诱导化学气相沉积（LICVD） | 第26页 |
| ·PLD 制备薄膜 | 第26-30页 |
| ·脉冲激光沉积法（PLD） | 第26-27页 |
| ·实验仪器简介 | 第27-29页 |
| ·实验步骤 | 第29-30页 |
| ·富硅Si02 薄膜的表征分析 | 第30-40页 |
| ·XRD 测试 | 第30-31页 |
| ·XPS 测试 | 第31-35页 |
| ·FT-IR 测试 | 第35-39页 |
| ·FT-Raman 测试 | 第39-40页 |
| ·AFM 测试 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第4章 Si0_2薄膜的I-V 与C-V 特性 | 第43-53页 |
| ·研究意义 | 第43页 |
| ·Si0_2 平板电容的制备 | 第43-44页 |
| ·Si0_2 平板电容的漏电流特性分析 | 第44-46页 |
| ·Si0_2 平板电容的C-V 特性分析 | 第46-52页 |
| ·理想MOS 结构的C-V 特性 | 第46-49页 |
| ·实际MOS 的C-V 特性 | 第49-50页 |
| ·C-V 测试结果与讨论 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第5章 Si0_2薄膜的应用 | 第53-67页 |
| ·ZnO 薄膜缓冲层的应用 | 第53-63页 |
| ·研究意义 | 第53-54页 |
| ·实验及结果讨论 | 第54-63页 |
| ·柔性衬底保护层的应用 | 第63-64页 |
| ·研究意义 | 第63页 |
| ·实验及结果讨论 | 第63-64页 |
| ·金属防腐蚀层的应用 | 第64-66页 |
| ·研究意义 | 第64-65页 |
| ·实验及结果讨论 | 第65-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第6章 总结 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 附录 | 第75页 |
