| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 前言 | 第13-17页 |
| 第二章 文献综述-直拉单晶硅的生长及其缺陷的研究 | 第17-59页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·直拉单晶硅的生长技术 | 第17-24页 |
| ·CZ单晶硅生长系统中的熔体对流和生长界面 | 第19-21页 |
| ·CZ单晶硅生长系统的热场 | 第21-22页 |
| ·重掺单晶的生长 | 第22-24页 |
| ·硅中氧的基本性质 | 第24-29页 |
| ·CZ硅生长过程中的氧平衡 | 第24-25页 |
| ·硅中氧浓度的测量 | 第25-27页 |
| ·硅中氧的固溶度 | 第27-28页 |
| ·硅中氧的扩散系数 | 第28-29页 |
| ·磁场对直拉硅中氧的影响 | 第29-30页 |
| ·直拉单晶硅中的氧沉淀 | 第30-42页 |
| ·直拉单晶硅中氧沉淀的基本性质 | 第30-33页 |
| ·直拉硅中氧沉淀的影响因素 | 第33-38页 |
| ·直拉单晶硅热过程中氧沉淀形成的动力学 | 第38-42页 |
| ·直拉单晶硅中的内吸杂 | 第42-48页 |
| ·高-低-高内吸杂工艺 | 第43-44页 |
| ·MDZ内吸杂工艺 | 第44-47页 |
| ·掺氮硅片的内吸杂 | 第47-48页 |
| ·硅中的本征点缺陷和空洞型缺陷 | 第48-58页 |
| ·Voronkov的理论 | 第48页 |
| ·点缺陷的产生及平衡 | 第48-50页 |
| ·V/G临界值ζ_t的影响因素 | 第50-52页 |
| ·空位型缺陷的形成 | 第52-55页 |
| ·A/B螺旋型缺陷 | 第55-56页 |
| ·Void缺陷的控制 | 第56-58页 |
| ·结语 | 第58-59页 |
| 第三章 300mm掺氮直拉单晶硅的生长 | 第59-77页 |
| 摘要 | 第59页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·热场设计 | 第60-62页 |
| ·气相掺氮工艺 | 第62-68页 |
| ·设置可重复的掺杂温度 | 第62-63页 |
| ·准确控制通入氮气的时间及流量 | 第63-68页 |
| ·单晶炉内磁场分布 | 第68-70页 |
| ·300mm掺氮单晶硅的生长 | 第70-76页 |
| ·化料 | 第70-71页 |
| ·熔体稳定 | 第71-72页 |
| ·熔体表面温度的标定 | 第72页 |
| ·气相掺氮 | 第72页 |
| ·引晶 | 第72页 |
| ·肩部生长 | 第72-73页 |
| ·转肩 | 第73页 |
| ·等径生长 | 第73-74页 |
| ·单晶收尾 | 第74-75页 |
| ·保温和冷却过程 | 第75-76页 |
| ·结论 | 第76-77页 |
| 第四章 300mm掺氮直拉硅片原生缺陷的研究 | 第77-94页 |
| 摘要 | 第77页 |
| ·引言 | 第77页 |
| ·300mm掺氮直拉单晶硅中原生氧沉淀的径向分布 | 第77-86页 |
| ·实验 | 第79页 |
| ·结果与讨论 | 第79-85页 |
| ·结论 | 第85-86页 |
| ·300mm掺氮直拉硅片的空洞型缺陷消除的研究 | 第86-94页 |
| ·实验 | 第87页 |
| ·结果与讨论 | 第87-93页 |
| ·结论 | 第93-94页 |
| 第五章 掺氮直拉硅片的内吸杂工艺的研究 | 第94-106页 |
| 摘要 | 第94页 |
| ·引言 | 第94-95页 |
| ·实验 | 第95-96页 |
| ·结果及讨论 | 第96-104页 |
| ·Ramping退火的条件对BMD密度和洁净区形成的影响 | 第96-101页 |
| ·基于Ramping退火的内吸杂工艺形成的洁净区的稳定性 | 第101-102页 |
| ·热处理气氛对Ramping工艺形成洁净区的影响 | 第102-104页 |
| ·结论 | 第104-106页 |
| 第六章 普通和掺氮的极低电阻率的重掺N型直拉单晶硅的生长及缺陷研究 | 第106-131页 |
| 摘要 | 第106页 |
| ·引言 | 第106-108页 |
| ·单晶生长 | 第108-123页 |
| ·存在的问题 | 第108-110页 |
| ·温度梯度与生长界面 | 第110-111页 |
| ·极低电阻率的重掺砷和重掺磷单晶硅的生长 | 第111-112页 |
| ·热场设计 | 第112-114页 |
| ·掺杂工具的设计 | 第114-116页 |
| ·单晶生长试验 | 第116-119页 |
| ·重掺砷/磷单晶硅的电阻率纵向分布和径向分布 | 第119-123页 |
| ·重掺砷和重掺磷单晶硅在规模生产中成功率的统计分析 | 第123页 |
| ·掺氮的重掺砷和重掺磷直拉单晶硅的生长 | 第123-124页 |
| ·普通和掺氮的重掺砷、磷直拉单晶硅的氧沉淀行为 | 第124-128页 |
| ·普通和掺氮的重掺砷直拉单晶硅的氧沉淀 | 第124-125页 |
| ·普通和掺氮的重掺磷直拉单晶硅的氧沉淀 | 第125-128页 |
| ·以掺氮和普通重掺磷直拉硅片为衬底的外延片制造的MOSFET器件的性能比较 | 第128-129页 |
| ·结论 | 第129-131页 |
| 第七章 全文总结 | 第131-134页 |
| 参考文献 | 第134-143页 |
| 附录 | 第143-146页 |
