| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·研究背景 | 第13-17页 |
| ·半绝缘SiC 材料与半导体器件的发展 | 第13-15页 |
| ·高质量半绝缘SiC 材料的制备 | 第15-16页 |
| ·研究半导体缺陷的意义 | 第16-17页 |
| ·高质量SiC 中本征缺陷的研究现状 | 第17-23页 |
| ·半导体材料中的本征缺陷和非本征缺陷 | 第17-18页 |
| ·半导体材料中的缺陷能级 | 第18页 |
| ·高质量SiC 材料中的深能级中心 | 第18-20页 |
| ·研究深能级的模型 | 第20-22页 |
| ·存在的问题 | 第22-23页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第23-25页 |
| 第二章 4H-SiC中本征缺陷的第一性原理计算 | 第25-45页 |
| ·第一性原理计算的理论方法 | 第25-31页 |
| ·第一性原理计算的作用及优势 | 第25页 |
| ·密度泛函理论的提出 | 第25-26页 |
| ·多电子体系的薛定谔方程 | 第26-27页 |
| ·密度泛函理论 | 第27-29页 |
| ·交换关联相互作用 | 第29-31页 |
| ·材料能带的计算方法 | 第31-32页 |
| ·材料模拟软件的介绍 | 第32-34页 |
| ·理想化学配比4H-SiC 电子结构的计算 | 第34-36页 |
| ·本征点缺陷对4H-SiC 电子结构的影响 | 第36-41页 |
| ·4H-SiC: V_C 模型的电子结构 | 第36-37页 |
| ·4H-SiC: V_(Si) 模型的电子结构 | 第37-39页 |
| ·4H-SiC: V_C-V_(Si) 模型的电子结构 | 第39-41页 |
| ·4H-SiC 本征缺陷的形成能及形成浓度 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-45页 |
| 第三章 SiC材料中本征缺陷的表征方法及样品的制备 | 第45-63页 |
| ·检测半导体材料中微观本征缺陷的常用方法及理论 | 第45-55页 |
| ·电子顺磁共振法 | 第45-49页 |
| ·光致发光法 | 第49-52页 |
| ·其它表征方法 | 第52-55页 |
| ·实验用材料的基本特性 | 第55-57页 |
| ·实验用4H-SiC 材料的制备 | 第55-56页 |
| ·样品的退火处理 | 第56-57页 |
| ·退火处理后样品的基本特性 | 第57-61页 |
| ·退火处理后样品的SEM 结果 | 第57-60页 |
| ·退火处理对样品C/Si 原子比的影响 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 4H-SiC的本征缺陷特征研究 | 第63-79页 |
| ·非故意掺杂4H-SiC 材料的ESR 特性 | 第63-68页 |
| ·暗场条件下的ESR 谱 | 第63-65页 |
| ·测试温度对4H-SiC 材料ESR 结果的影响 | 第65-66页 |
| ·材料中电子分布对ESR 吸收谱的影响 | 第66-67页 |
| ·缺陷浓度分布对ESR 谱的影响 | 第67-68页 |
| ·氙光激励对4H-SiC 本征缺陷ESR 谱的影响 | 第68-72页 |
| ·4H-SiC 材料的低温PL 特性 | 第72-76页 |
| ·深能级缺陷发光特点 | 第72-73页 |
| ·4H-SiC 外延材料的光致发光特性 | 第73-76页 |
| ·非故意掺杂4H-SiC 外延材料的光发射模型 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 退火后4H-SiC材料中本征缺陷研究 | 第79-97页 |
| ·退火温度对4H-SiC 材料中本征缺陷的影响 | 第79-85页 |
| ·退火温度对4H-SiC ESR 结果的影响 | 第79-83页 |
| ·不同退火温度处理后样品的PL 结果 | 第83-85页 |
| ·退火时间与4H-SiC 材料本征缺陷的关系 | 第85-91页 |
| ·退火时间对材料ESR 谱的影响 | 第85-88页 |
| ·不同退火时间对样品PL 谱的影响 | 第88-90页 |
| ·4H-SiC 材料PL 谱的“黄移”现象 | 第90-91页 |
| ·退火处理后 4H-SiC 的光发射模型 | 第91-94页 |
| ·半导体发光理论 | 第91-92页 |
| ·退火后 4H-SiC 本征缺陷的光发射模型 | 第92-94页 |
| ·退火处理工艺中存在的问题及解决办法 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 第六章 结束语 | 第97-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-114页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第114-116页 |
