| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| §1-1 GaAs材料的特性及其重要地位 | 第9-11页 |
| 1-1-1 GaAs的结构及特性 | 第9-10页 |
| 1-1-2 GaAs材料的应用领域 | 第10-11页 |
| 1-1-3 GaAs材料的市场前景 | 第11页 |
| §1-2 SI-GaAs单晶的晶体缺陷和电学性能 | 第11-14页 |
| 1-2-1 SI-GaAs单晶的晶体缺陷 | 第11-13页 |
| 1-2-2 SI-GaAs单晶的电学性能 | 第13-14页 |
| §1-3 离子注入SI-GaAs研究状况及其存在的问题 | 第14-16页 |
| 1-3-1 研究现状 | 第14-16页 |
| 1-3-2 存在的问题 | 第16页 |
| §1-4 选题的目的及其意义 | 第16-17页 |
| §1-5 本论文主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 实验方案及分析技术 | 第18-27页 |
| §2-1 实验方案 | 第18页 |
| §2-2 缺陷显示——电化学腐蚀法 | 第18-20页 |
| 2-2-1 A-B腐蚀法 | 第19-20页 |
| 2-2-2 超声A-B腐蚀法 | 第20页 |
| §2-3 实验仪器及分析技术 | 第20-27页 |
| 2-3-1 离子注入机 | 第20-21页 |
| 2-3-2 快速热处理炉（RTP） | 第21页 |
| 2-3-3 红外吸收光谱仪 | 第21-22页 |
| 2-3-4 金相显微镜 | 第22-23页 |
| 2-3-5 扫描电子显微镜（SEM） | 第23-24页 |
| 2-3-6 霍尔测量系统 | 第24-27页 |
| 第三章 SI-GaAs离子注入成分分析 | 第27-33页 |
| §3-1 引言 | 第27-29页 |
| 3-1-1 离子注入定义 | 第27页 |
| 3-1-2 离子注入系统 | 第27-28页 |
| 3-1-3 离子注入技术的特点 | 第28页 |
| 3-1-4 沟道效应 | 第28-29页 |
| §3-2 实验过程 | 第29-30页 |
| §3-3 实验结果与分析 | 第30-31页 |
| §3-4 小结 | 第31-33页 |
| 第四章 离子注入对SI-GaAs单晶中本征缺陷的影响 | 第33-41页 |
| §4-1 引言 | 第33页 |
| §4-2 实验过程 | 第33-34页 |
| 4-2-1 样品制备 | 第33页 |
| 4-2-2 A-B腐蚀液配置 | 第33-34页 |
| 4-2-3 腐蚀工艺 | 第34页 |
| 4-2-4 缺陷检测 | 第34页 |
| §4-3 实验结果与讨论 | 第34-40页 |
| 4-3-1 原生SI-GaAs缺陷形貌 | 第34-37页 |
| 4-3-2 原生SI-GaAs位错密度 | 第37-38页 |
| 4-3-3 注入后样品缺陷形貌 | 第38-40页 |
| §4-4 小结 | 第40-41页 |
| 第五章 离子注入对SI-GaAs电学性能的影响 | 第41-52页 |
| §5-1 引言 | 第41页 |
| §5-2 原生 SI-GaAs单晶中的深施主缺陷EL2 浓度分布 | 第41-44页 |
| 5-2-1 实验过程 | 第42-43页 |
| 5-2-2 实验结果与讨论 | 第43-44页 |
| §5-3 离子注入对SI-GaAs电学性能的影响 | 第44-51页 |
| 5-3-1 原生样品的电学性能 | 第45-46页 |
| 5-3-2 电参数不均匀分布机理 | 第46页 |
| 5-3-3 热处理对电参数的影响 | 第46-49页 |
| 5-3-4 离子注入对电参数的影响 | 第49-51页 |
| §5-4 小结 | 第51-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第57页 |
