氮和磷掺杂对3C-SiC光学性质的影响
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| ·课题的研究背景和意义 | 第11-12页 |
| ·碳化硅的结构与特性 | 第12-14页 |
| ·碳化硅的结构 | 第12页 |
| ·碳化硅的特性比较 | 第12-14页 |
| ·碳化硅器件工艺技术 | 第14-16页 |
| ·掺杂 | 第14-15页 |
| ·刻蚀 | 第15页 |
| ·氧化 | 第15-16页 |
| ·碳化硅的研究与应用现状 | 第16-17页 |
| ·论文的研究内容和组织结构 | 第17-18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第2章 基础理论和计算方法 | 第19-29页 |
| ·密度泛函理论 | 第19-25页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第19-21页 |
| ·Kohn-Sham 定理 | 第21-23页 |
| ·局域密度近似和广义梯度近似 | 第23-24页 |
| ·布洛赫定理 | 第24-25页 |
| ·赝势方法 | 第25-27页 |
| ·规范-守恒赝势 | 第26-27页 |
| ·超软赝势 | 第27页 |
| ·CASTEP 软件包的特点 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 掺杂对光电导的影响 | 第29-41页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·基本理论与方法 | 第30页 |
| ·数值模拟结果及分析 | 第30-34页 |
| ·能带结构 | 第30-31页 |
| ·态密度 | 第31-33页 |
| ·光电导率 | 第33-34页 |
| ·载流子的散射机制 | 第34-40页 |
| ·散射概率 | 第35-37页 |
| ·反常电导率的分析 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 掺杂对光致发光的影响 | 第41-53页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·数值模拟结果及分析 | 第41-44页 |
| ·能带结构 | 第42-43页 |
| ·吸收和折射光谱 | 第43-44页 |
| ·理论计算结果及分析 | 第44-52页 |
| ·光致发光过程 | 第44-45页 |
| ·光致发光的理论计算 | 第45-48页 |
| ·光致发光光谱 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研任务与主要成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 作者简介 | 第63页 |
