当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
利用表面光伏谱研究氮化镓薄膜的光电行为
稳定可靠p型ZnO薄膜的制备与光电性能研究
低维ZnO的制备与表征
TiO2薄膜的制备及其性能研究
光集成中等离子诱导与无杂质空位量子阱混杂技术的研究
ZnO薄膜的MOCVD制备及ZnO/Si发光器件研究
硅材料场致普克尔斯效应和光整流效应的研究
HgTe高压cinnabar相热电效率的第一性原理研究
锑化物半导体材料的MOCVD生长研究及其热光伏器件的模拟分析
p型ZnO薄膜生长及其结特性的研究
透明导电氧化物半导体的制备及电学性质研究进展
氧化物稀磁半导体的研究进展
单掺杂及混合掺杂半导体费米能级随温度变化的数值计算
HVPE生长自支撑GaN技术研究
硅/HF界面电化学特性研究
单晶硅中氧和碳的分布及控制方法
CdS超微粒的表面修饰行为及其光学特性
氢化处理及Li掺杂ZnO薄膜光学性能研究
ZnO表面光伏行为的Kelvin探针表征
砷化镓材料的团簇及其光电特性研究
在碳化硅衬底上制备Si/SiC异质结
4H-SiC同质外延的表征及深能级分析研究
GaN基稀磁半导体的理论与实验研究
4H-SiC SBD与MESFET高能粒子辐照效应研究
SiO2介质材料辐射损伤噪声灵敏表征技术研究
第一性原理研究氧化锌的p型掺杂和钛酸锶的表面吸附
半绝缘SiC单晶材料的电学参数测试研究
Si1-xGex/Si应变材料生长机理与生长动力学研究
应变硅载流子迁移率增强机理及模型研究
GaN基异质结缓冲层漏电研究
高Al组分的AlGaN外延材料的MOCVD生长研究
pn结材料辐射损伤噪声灵敏表征方法研究
GaN-MOCVD系统反应室的CFD模拟研究
GaN基双异质结特性研究
内建电场对纳结构半导体材料功函数调制研究
氟化钙单晶材料的磁流变抛光工艺研究
一维纳米ZnO半导体材料的掺杂及器件制备
不同波长脉冲激光与半导体材料HgCdTe和Si相互作用研究
脉冲激光沉积GaN薄膜研究
多孔硅复合结构传感性能的研究
宽禁带半导体ZnO、GaN及其相关材料的微结构调控与性能研究
磁控溅射制备铜锡氧薄膜及其性质研究
MOCVD法制备掺杂SnO2薄膜及特性研究
Mn掺杂Ⅳ族半导体的研究
稀土(Sm,Gd)掺杂TiO2稀磁半导体的制备和磁性研究
金属-n型氧化锌纳米薄膜接触特性的研究
氧化锌掺杂系统电子结构的第一性原理研究
ZnS掺杂系统电子结构和光学性质的理论研究
GaAs材料光电压谱特性分析
石墨微结构磁电效应及甚小电阻信号读取
上一页
[54]
[55]
[56]
[57]
[58]
下一页