| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| §1.1 引言 | 第8-9页 |
| §1.2 稀磁半导体的研究历程和现状 | 第9-14页 |
| §1.3本论文内容简介 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-18页 |
| 第二章 薄膜生长技术与表征手段 | 第18-41页 |
| §2.1 分子束外延技术 | 第18-20页 |
| §2.2 实验设备 | 第20-28页 |
| §2.2.1 分子束外延设备 | 第20-23页 |
| §2.2.2 原位测量之反射式高能电子衍射(RHEED) | 第23-25页 |
| §2.2.3 原位测量之俄歇电子能谱(AES) | 第25-28页 |
| §2.3 薄膜的生长 | 第28-30页 |
| §2.3.1 硅片清洗 | 第28-29页 |
| §2.3.2 薄膜生长 | 第29-30页 |
| §2.4 样品的表征手段 | 第30-37页 |
| §2.4.1 原子力显微镜(Atomic force microscopy,AFM) | 第30-33页 |
| §2.4.2 X射线衍射(XRD) | 第33-34页 |
| §2.4.3 拉曼光谱(Raman Spectroscopy) | 第34-35页 |
| §2.4.4 二次离子质谱(Secondary ion mass spectroscopy,SIMS) | 第35-36页 |
| §2.4.5 透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM) | 第36-37页 |
| §2.5 样品电学性质的测量手段 | 第37-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 Fe_xSi_(1-x)薄膜的生长、结构与薄膜电阻率的测试 | 第41-56页 |
| §3.1 引言 | 第41-42页 |
| §3.2 在Si(100)衬底上生长外延Fe_xSi_(1-x)薄膜材料 | 第42-43页 |
| §3.3 薄膜的表面形貌 | 第43-46页 |
| §3.4 薄膜的结构 | 第46-52页 |
| §3.5 Fe_xSi_(1-x)薄膜的电阻随温度的变化 | 第52-54页 |
| §3.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第四章 Fe_xSi_(1-x)薄膜的磁阻 | 第56-71页 |
| §4.1 引言 | 第56-57页 |
| §4.2 Fe_(0.04)Si_(0.96)薄膜的磁阻在不同温度下随磁场的变化 | 第57-63页 |
| §4.3 改变磁场与电流的方向之间的关系测量Fe_(0.04)Si_(0.96)薄膜的磁阻 | 第63-68页 |
| §4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第五章 Fe_xSi(1-x)薄膜的Hall效应 | 第71-84页 |
| §5.1 引言 | 第71-72页 |
| §5.2 Fe_xSi_(1-x)薄膜的Hall效应的测量 | 第72-75页 |
| §5.3 用双载流子模型拟合ρ_(xx)、ρ_(xy)与磁场的变化关系 | 第75-82页 |
| §5.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第六章 Mn_xSi_(1-x)薄膜的制备与表征 | 第84-97页 |
| §6.1 引言 | 第84页 |
| §6.2 Mn_xSi_(1-x)薄膜的生长 | 第84-85页 |
| §6.3 Mn_xSi_(1-x)薄膜的表面形貌 | 第85-88页 |
| §6.4 Mn_xSi_(1-x)薄膜的结构 | 第88-91页 |
| §6.5 Mn_xSi_(1-x)薄膜的Hall效应 | 第91-93页 |
| §6.6 Mn_xSi_(1-x)薄膜的磁性测量 | 第93-95页 |
| §6.7 本章小结 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-97页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第97-98页 |
| 攻读博士学位期间参加的会议 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
