中文摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第1章 绪论 | 第9-20页 |
·引言 | 第9-10页 |
·ZnO晶体的基本结构与基本属性 | 第10-12页 |
·ZnO晶体的基本结构 | 第10-11页 |
·ZnO晶体的基本物理性能 | 第11-12页 |
·国内外研究现状及存在的问题 | 第12-13页 |
·体单晶生长 | 第12页 |
·薄膜方面 | 第12-13页 |
·计算材料学和计算材料设计 | 第13-15页 |
·计算材料学概述 | 第13-14页 |
·计算材料设计概述 | 第14页 |
·材料设计发展概况 | 第14-15页 |
·第一性原理发展与作用 | 第15-16页 |
·第一性原理研究ZnO的概况 | 第16-19页 |
·本征缺陷第一性原理研究 | 第16-17页 |
·掺杂第一性原理研究 | 第17-19页 |
·研究的目的和内容 | 第19-20页 |
·研究目的 | 第19页 |
·研究内容 | 第19-20页 |
第2章 第一性原理计算方法 | 第20-28页 |
·密度泛函理论 | 第20-26页 |
·薛定谔(Schrodinger)方程 | 第20-22页 |
·绝热近似(Born-Oppenheimer)方法 | 第22页 |
·Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
·Kohn-Sham方程 | 第23-25页 |
·交换-关联能函数近似 | 第25-26页 |
·能带理论 | 第26-28页 |
·布拉赫(Bloch)定理 | 第26-27页 |
·能带计算过程 | 第27-28页 |
第3章 ZnO本征点缺陷的理论计算 | 第28-37页 |
·几何优化 | 第28页 |
·理想配比ZnO电子结构计算 | 第28-30页 |
·本征点缺陷对ZnO电子结构影响 | 第30-36页 |
·ZnO:O_i模型电子结构 | 第30-31页 |
·ZnO:Zn_i模型电子结构 | 第31-33页 |
·ZnO:V_(Zn)模型电子结构 | 第33-34页 |
·ZnO:V_O模型电子结构 | 第34-36页 |
·本章小结 | 第36-37页 |
第4章 ZnO第一性原理掺杂研究 | 第37-54页 |
·引言 | 第37页 |
·非故意掺杂 | 第37-44页 |
·H元素非故意掺杂 | 第38-42页 |
·C元素非故意掺杂 | 第42-44页 |
·ZnO:Na掺杂电子结构理论计算 | 第44-49页 |
·几何优化 | 第44-45页 |
·ZnO:Na电子结构理论计算 | 第45-49页 |
·ZnO:Al掺杂电子结构理论计算 | 第49-53页 |
·几何优化 | 第49-50页 |
·ZnO:Al掺杂电子结构 | 第50-53页 |
·本章小结 | 第53-54页 |
第5章 外力对ZnO电子结构和光学性质的影响 | 第54-62页 |
·几何优化 | 第54-55页 |
·电子结构 | 第55-57页 |
·光学特性的计算 | 第57-60页 |
·不同外力下ZnO光吸收性能的影响 | 第58-59页 |
·不同外力对ZnO的反射率等特性的影响 | 第59-60页 |
·本章小结 | 第60-62页 |
第6章 结论 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-67页 |
附录 硕士期间拟发表的论文 | 第67-68页 |
致谢 | 第68页 |