BaTiO3-SiC异质结构的第一性原理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·铁电材料与半导体异质结构的研究现状 | 第9-13页 |
| ·铁电材料BaTi0_3 的研究现状 | 第9-10页 |
| ·半导体材料SiC的研究现状 | 第10-11页 |
| ·铁电/半导体异质结构的研究现状 | 第11-13页 |
| ·材料计算与设计 | 第13页 |
| ·本课题研究目的及意义 | 第13-15页 |
| 第2章 第一性原理介绍 | 第15-24页 |
| ·第一性原理概述 | 第15页 |
| ·波函数与电子密度 | 第15-16页 |
| ·密度泛函理论 | 第16-19页 |
| ·交换相关泛函 | 第17页 |
| ·局域密度近似 | 第17-18页 |
| ·广义梯度近似 | 第18-19页 |
| ·密度泛函理论的修正 | 第19页 |
| ·基组和赝势 | 第19-21页 |
| ·基组 | 第19-20页 |
| ·赝势 | 第20-21页 |
| ·Material studio 介绍 | 第21-24页 |
| ·能带结构介绍 | 第22页 |
| ·态密度 | 第22-24页 |
| 第3章 BaTi0_3表面结构研究 | 第24-33页 |
| ·BaTi0_3体结构研究 | 第24-27页 |
| ·BaTi0_3表面结构研究 | 第27-33页 |
| 第4章 SiC表面结构研究 | 第33-45页 |
| ·SiC体结构研究 | 第33-38页 |
| ·3C-SiC体结构研究 | 第34-36页 |
| ·2H-SiC体结构研究 | 第36-38页 |
| ·SiC表面结构研究 | 第38-45页 |
| ·3C-SiC表面结构研究 | 第38-42页 |
| ·2H-SiC表面结构研究 | 第42-45页 |
| 第5章 BaTi0_3-SiC异质结构研究 | 第45-62页 |
| ·BaTi0_3-SiC异质结构 | 第45-51页 |
| ·BaTi0_3-SiC异质结构的原子结构 | 第46-50页 |
| ·BaTi0_3- SiC异质结构的成键过程 | 第50-51页 |
| ·BaTi0_3-SiC异质结构的电子特性 | 第51-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
