摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第1章 绪论 | 第9-25页 |
·引言 | 第9页 |
·ZnO 的结构 | 第9-11页 |
·ZnO 的晶体结构 | 第9-11页 |
·ZnO 的电子能带结构 | 第11页 |
·ZnO 的光、电性质 | 第11-13页 |
·禁带宽 | 第11-12页 |
·可见光区透过率高 | 第12页 |
·紫外发射强 | 第12页 |
·导电性好 | 第12页 |
·光电性能好 | 第12-13页 |
·表面光电压技术 | 第13-16页 |
·表面光电压谱 | 第13页 |
·表面光电压谱仪的构造 | 第13-14页 |
·表面光电压的产生机理 | 第14-16页 |
·本论文的研究内容 | 第16-17页 |
·本论文的研究意义 | 第17-19页 |
参考文献 | 第19-25页 |
第2章 ZnO 和NiO 薄膜的制备及表征 | 第25-41页 |
·激光分子束外延技术简介 | 第25-26页 |
·激光分子束外延的基本结构 | 第25-26页 |
·ZnO、NiO 陶瓷靶材的制备 | 第26-28页 |
·ZnO、NiO 陶瓷靶材的制备流程 | 第26-27页 |
·ZnO、NiO 陶瓷靶材的XRD 表征 | 第27-28页 |
·L-MBE 技术制备ZnO 薄膜 | 第28-34页 |
·Si 衬底上生长ZnO 薄膜 | 第29-32页 |
·ZnO 薄膜的生长 | 第29-30页 |
·Si 衬底上ZnO 薄膜的XRD 图 | 第30-31页 |
·Si 衬底上ZnO 薄膜的Raman 谱分析 | 第31页 |
·Si 衬底上ZnO 薄膜的光致发光谱 | 第31-32页 |
·石英衬底上生长ZnO 薄膜 | 第32-34页 |
·石英衬底上ZnO 薄膜的XRD 图 | 第32-33页 |
·石英衬底上ZnO 薄膜的透射谱 | 第33-34页 |
·L-MBE 技术制备NiO 薄膜 | 第34-37页 |
·Si 衬底上生长NiO 薄膜 | 第34-35页 |
·Si 衬底上生长NiO 薄膜的XRD 图 | 第34-35页 |
·石英衬底上生长NiO 薄膜 | 第35-37页 |
·石英衬底上生长NiO 薄膜的XRD 图 | 第35-36页 |
·石英衬底上生长NiO 薄膜的透射谱 | 第36-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
参考文献 | 第38-41页 |
第3章 ZnO/NiO p-n 异质结的组建及其光电性质研究 | 第41-53页 |
·引言 | 第41-42页 |
·实验和测试 | 第42-43页 |
·样品的制备 | 第42页 |
·样品的测试 | 第42-43页 |
·结果和讨论 | 第43-49页 |
·结构和形貌 | 第43-44页 |
·ZnO/NiO 异质结的整流特性 | 第44-46页 |
·透射谱分析 | 第46页 |
·表面光电压谱分析 | 第46-49页 |
·本章小结 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-53页 |
第4章 N719 染料和ZnO 薄膜之间的能量和电荷转移 | 第53-69页 |
·引言 | 第53-54页 |
·实验和测试 | 第54-55页 |
·样品的制备 | 第54页 |
·样品的测试 | 第54-55页 |
·结果和讨论 | 第55-63页 |
·结构和形貌 | 第55-56页 |
·紫外—可见吸收光谱 | 第56-59页 |
·表面光电压谱 | 第59-60页 |
·光致发光谱 | 第60-62页 |
·拉曼谱分析 | 第62-63页 |
·本章小结 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-69页 |
攻读硕士期间完成的论文 | 第69-70页 |
致谢 | 第70页 |