| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-30页 |
| ·锑化物半导体材料与超晶格 | 第13-16页 |
| ·锑化物外延生长中的表面结构 | 第16-21页 |
| ·外延生长中的表面结构 | 第16-17页 |
| ·锑化物半导体的表面再构 | 第17-21页 |
| ·GaSb 薄膜的异质外延生长与失配位错 | 第21-24页 |
| ·GaAs 衬底上的GaSb 异质外延 | 第21-22页 |
| ·GaSb 异质外延薄膜中的60°位错 | 第22-24页 |
| ·锑化物半导体超晶格研究概述 | 第24-29页 |
| ·GaAs/GaAsSb 超晶格中的V 族元素置换 | 第24-25页 |
| ·InAs/GaSb 超晶格材料及其能带结构 | 第25-27页 |
| ·基于InAs/GaSb 超晶格的红外探测器 | 第27-29页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第29-30页 |
| 第2章 实验与计算方法 | 第30-40页 |
| ·外延生长与分析技术 | 第30-34页 |
| ·分子束外延技术 | 第30-32页 |
| ·高分辨X 射线衍射技术 | 第32-33页 |
| ·透射电子显微镜技术 | 第33页 |
| ·原子力显微镜技术 | 第33-34页 |
| ·表面再构的第一性原理计算 | 第34-40页 |
| ·第一性原理及其应用基础 | 第34-35页 |
| ·稳定表面及其建模 | 第35-37页 |
| ·吸附与扩散张量计算 | 第37-40页 |
| 第3章 GaSb 的表面再构与外延生长研究 | 第40-61页 |
| ·GaSb 薄膜的外延生长 | 第40-43页 |
| ·Ga 原子表面扩散各向异性研究 | 第43-52页 |
| ·GaSb(001)-(4×3)表面再构 | 第43-45页 |
| ·Ga 原子在GaSb-(4×3)表面上的吸附 | 第45-48页 |
| ·Ga 原子在GaSb-(4×3)表面的扩散 | 第48-52页 |
| ·GaSb 薄膜中位错分布的各向异性分析 | 第52-56页 |
| ·锑化物再构表面对位错形核的影响 | 第56-59页 |
| ·AlSb(001)-c(4×4)表面再构 | 第56-57页 |
| ·GaSb(001)与AlSb(001)再构表面错动分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第4章 GaAs/GaAsSb 超晶格中的Sb/As 置换反应研究 | 第61-75页 |
| ·GaAs/GaAsSb 超晶格中的Sb 含量分析 | 第61-65页 |
| ·GaAs/GaAsSb 超晶格的界面结构与光学特性 | 第65-67页 |
| ·GaSb 表面Sb 吸附的热力学分析 | 第67-70页 |
| ·GaSb 覆盖GaAs 再构表面的Sb/As 置换反应 | 第70-74页 |
| ·GaSb 覆盖的GaAs 表面再构 | 第70-71页 |
| ·GaSb/GaAs 再构表面的Sb/As 置换 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第5章 InAs/GaSb 超晶格的能带结构研究 | 第75-96页 |
| ·紧束缚方法计算化合物半导体能带 | 第75-80页 |
| ·经验紧束缚方法 | 第75-77页 |
| ·GaSb 的能带结构 | 第77-80页 |
| ·AlSb 的经验紧束缚参数拟合 | 第80-85页 |
| ·Г点能带与有效质量的解析表达式 | 第80-83页 |
| ·AlSb 紧束缚参数的拟合 | 第83-85页 |
| ·InAs/GaSb 超晶格的能带结构 | 第85-95页 |
| ·紧束缚方法计算超晶格的能带结构 | 第85-88页 |
| ·InAs/GaSb 超晶格能带结构的影响因素 | 第88-91页 |
| ·具有Al(Ga)Sb 势垒层的M 型超晶格 | 第91-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第6章 InAs/GaSb 超晶格的外延生长与探测器件应用 | 第96-106页 |
| ·InAs/GaSb 超晶格的生长与应变分析 | 第96-99页 |
| ·InAs/GaSb 超晶格的界面结构分析 | 第99-102页 |
| ·势垒型红外探测器器件的设计与制备 | 第102-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 结论 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-121页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
| 个人简历 | 第124页 |
