| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| ·半导体材料的应用 | 第13页 |
| ·光电传感器 | 第13-15页 |
| ·ZnO 薄膜的光电性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO 薄膜在光电领域的应用 | 第16-18页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第18-19页 |
| ·ZnMgO 薄膜的研究进展 | 第19-21页 |
| ·小结 | 第21-22页 |
| 第二章 溶胶凝胶法制备ZnO 薄膜 | 第22-34页 |
| ·实验所用仪器试剂 | 第22-23页 |
| ·Sol-Gel 旋涂法制备ZnO 薄膜 | 第23-26页 |
| ·紫外光响应测试结果及表征分析 | 第26-33页 |
| ·ZnO 紫外光响应测试结果 | 第26-28页 |
| ·ZnO 的表征及I-t 曲线 | 第28-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第三章 正交实验优化 Zn_(0.9)Mg_(0.1)O 薄膜溶胶凝胶工艺 | 第34-46页 |
| ·正交试验设计方法简介 | 第34-35页 |
| ·溶胶-凝胶法制备Mg 掺杂的ZnO 薄膜 | 第35页 |
| ·正交试验优化设计 | 第35-36页 |
| ·结果和表征分析 | 第36-42页 |
| ·器件的表面效应与稳定性 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第四章 势垒高度的测试计算 | 第46-53页 |
| ·势垒高度测试机理 | 第46-47页 |
| ·真空I-V 测试 | 第47-49页 |
| ·ZnO 势垒高度拟合分析 | 第49-51页 |
| ·Zn_(0.9)Mg_(0.1)O 薄膜势垒高度拟合分析 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第五章 半导体机理分析 | 第53-60页 |
| ·金属半导体的欧姆接触 | 第53-54页 |
| ·光电导体 | 第54-56页 |
| ·定态光电导及驰豫过程 | 第56-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第六章 Zn_(1-x)Mg_xO 能带结构的计算分析 | 第60-70页 |
| ·Materials Studio 简介 | 第60-61页 |
| ·理论分析缺陷对ZnO 性质的影响 | 第61-69页 |
| ·模型构建与计算 | 第62-64页 |
| ·计算结果及讨论 | 第64-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第七章 结论及对后续工作的展望 | 第70-72页 |
| ·主要结论 | 第70-71页 |
| ·对后续工作的展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
