| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·GaN基异质结材料的研究进展与问题 | 第10-13页 |
| ·GaN材料在微波功率器件方面的优势 | 第10-12页 |
| ·GaN及其异质结材料的研究进展 | 第12-13页 |
| ·GaN基异质结缓冲层漏电问题 | 第13-16页 |
| ·本文的主要工作与安排 | 第16-19页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结的生长技术研究 | 第19-43页 |
| ·MOCVD技术概述 | 第19-23页 |
| ·MOCVD系统特点 | 第19-22页 |
| ·新型MOCVD系统 | 第22页 |
| ·西电MOCVD系统的反应室设计 | 第22-23页 |
| ·GaN晶体的生长 | 第23-30页 |
| ·GaN体晶生长技术 | 第24页 |
| ·GaN晶体薄膜外延生长技术 | 第24-26页 |
| ·GaN晶体薄膜外延生长衬底材料的选择 | 第26-27页 |
| ·MOCVD技术生长GaN晶体薄膜的基本原理 | 第27-29页 |
| ·MOCVD技术生长GaN的主要工艺流程 | 第29-30页 |
| ·基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN异质结生长研究 | 第30-38页 |
| ·蓝宝石衬底GaN低温成核层和GaN外延层的生长 | 第30-31页 |
| ·异质结以及2DEG的基本理论 | 第31-35页 |
| ·AlGaN 层厚度对AlGaN/GaN异质结性能的影响 | 第35-38页 |
| ·基于SiC衬底的AlGaN/GaN异质结生长研究 | 第38-41页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·SiC衬底GaN外延层和AlGaN/GaN异质结生长工艺 | 第39-40页 |
| ·SiC衬底上AlN成核层生长条件的确定 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 GaN外延层高背景载流子浓度的产生机理 | 第43-55页 |
| ·C-V测量背景载流子浓度的方法 | 第43-44页 |
| ·不同成核层与GaN缓冲层高阻特性之关系 | 第44-53页 |
| ·成核层的介绍 | 第44-46页 |
| ·采用低温成核层的AlGaN/GaN异质结材料生长工艺 | 第46页 |
| ·不同成核层的AlGaN/GaN异质结材料缓冲层漏电分析 | 第46-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 高阻GaN外延层生长技术研究 | 第55-63页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·通过补偿获得高阻特性的GaN缓冲层 | 第55-56页 |
| ·GaN缓冲层厚度与泄漏电流之间的关系 | 第56-58页 |
| ·采用高温AlN插入层生长高阻GaN外延层 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结束语 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第75-76页 |
