| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| ·4H-SiC 材料的优势 | 第12-14页 |
| ·4H-SiC 材料和器件的发展 | 第14-17页 |
| ·碳化硅材料与器件的发展 | 第14-16页 |
| ·国内外发展状况 | 第16页 |
| ·存在的问题 | 第16-17页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第17-20页 |
| 第二章CVD 法4H-SiC 同质外延生长机理及关键技术 | 第20-38页 |
| ·CVD 系统的组成和基本原理 | 第20-24页 |
| ·CVD 技术简介 | 第20-21页 |
| ·CVD 系统的基本组成 | 第21-24页 |
| ·CVD 法4H-SiC 同质外延薄膜的生长机理 | 第24-29页 |
| ·SiC 的多型结构 | 第24-25页 |
| ·4H-SiC 同质外延薄膜CVD 生长的动力学分析 | 第25-27页 |
| ·4H-SiC 同质外延薄膜CVD 生长的热力学分析 | 第27-29页 |
| ·外延生长实验设计和工艺流程 | 第29-31页 |
| ·工艺设计 | 第29-30页 |
| ·主要工艺流程 | 第30-31页 |
| ·重点工艺说明 | 第31页 |
| ·4H-SiC 同质外延生长的关键工艺 | 第31-37页 |
| ·生长率 | 第31-32页 |
| ·掺杂浓度 | 第32-34页 |
| ·表面形貌 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章4H-SiC 同质外延薄膜的表征 | 第38-64页 |
| ·4H-SiC 同质外延的表征测试方法 | 第38-40页 |
| ·光学表征 | 第38-39页 |
| ·电学表征 | 第39页 |
| ·X 射线衍射和光电子谱、离子束和显微技术表征 | 第39-40页 |
| ·4H-SiC 同质外延的光学特性表征 | 第40-47页 |
| ·Raman 散射 | 第40-43页 |
| ·红外傅里叶变换光谱（FTIR） | 第43-47页 |
| ·4H-SiC 同质外延的电学特性表征 | 第47-53页 |
| ·汞探针C-V 测试 | 第47-49页 |
| ·霍尔测试 | 第49-52页 |
| ·电阻均匀性 | 第52-53页 |
| ·X 射线衍射和光电子谱、离子束和显微技术表征 | 第53-62页 |
| ·高分辨X 射线衍射（HRXRD） | 第53-55页 |
| ·光电子谱（XPS） | 第55-57页 |
| ·二次离子质谱 | 第57-59页 |
| ·显微技术（SEM 和AFM） | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章4H-SiC 同质外延中的深能级研究 | 第64-80页 |
| ·存在的问题和争议 | 第64-65页 |
| ·光和磁性测试 | 第65-70页 |
| ·4H-SiC 同质外延薄膜的光致发光（PL） | 第65-69页 |
| ·4H-SiC 同质外延薄膜的电子自旋共振（ESR） | 第69-70页 |
| ·非刻意掺杂4H-SiC 外延材料中的深能级 | 第70-71页 |
| ·离子注入技术及Trim 模拟 | 第71-79页 |
| ·离子注入特性 | 第71-75页 |
| ·离子注入的射程和浓度分布 | 第75-76页 |
| ·碳离子注入SiC 的射程分布模拟 | 第76-77页 |
| ·碳离子注入SiC 的分布模拟 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 碳离子注入和高碳硅比生长工艺对本征深能级的影响 | 第80-96页 |
| ·C 离子注入的实验设计 | 第80-82页 |
| ·实验材料 | 第80页 |
| ·注入能量和注入剂量设计 | 第80-81页 |
| ·注入温度和高温退火工艺 | 第81-82页 |
| ·C 离子注入对深能级缺陷的影响 | 第82-90页 |
| ·离子注入及高温退火导致的SiC 表面损伤 | 第82-85页 |
| ·C 离子注入及高温退火对本征深能级的影响 | 第85-90页 |
| ·高碳硅比生长工艺对深能级缺陷的影响 | 第90-92页 |
| ·实验材料 | 第90页 |
| ·实验设计和C/Si 的选取原则 | 第90页 |
| ·C 离子注入及高温退火对本征深能级缺陷的影响 | 第90-92页 |
| ·碳注入退火和高碳硅比生长工艺对深能级缺陷影响比较 | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 第六章 结束语 | 第96-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-112页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第112-114页 |
