| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-26页 |
| ·ZnO 材料的性质 | 第7-9页 |
| ·ZnO 材料研究现状 | 第9-17页 |
| ·ZnO 的本征缺陷 | 第9-11页 |
| ·ZnO 的p 型掺杂 | 第11-13页 |
| ·基于ZnO 的电致发光 | 第13-17页 |
| ·ZnO 材料的应用 | 第17-18页 |
| ·ZnO 薄膜外延生长方法 | 第18-19页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第一章参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 ZnO 薄膜生长设备及样品的表征方法 | 第26-36页 |
| ·生长ZnO 薄膜的MOCVD 系统简介 | 第26-30页 |
| ·MOCVD 生长ZnO 薄膜的源材料 | 第26-27页 |
| ·薄膜生长的等离子体MOCVD 系统 | 第27-30页 |
| ·ZnO 薄膜的表征 | 第30-35页 |
| 第二章参考文献 | 第35-36页 |
| 第三章 在砷化镓衬底上生长p 型ZnO 薄膜 | 第36-46页 |
| ·ZnO 薄膜中与As 原子有关的受主状态 | 第36页 |
| ·在砷化镓衬底上制备p 型ZnO 薄膜 | 第36-38页 |
| ·GaAs 衬底上生长的p 型ZnO 薄膜的光学特性 | 第38-44页 |
| ·ZnO 薄膜的光致发光 | 第38-40页 |
| ·As 掺杂ZnO 薄膜的光学特性的研究 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 在具有砷化镓夹层的衬底上生长ZnO 薄膜 | 第46-59页 |
| ·简单的扩散理论 | 第46-47页 |
| ·具有砷化镓夹层的衬底制备 | 第47页 |
| ·ZnO 薄膜的X 射线衍射分析 | 第47-48页 |
| ·ZnO 薄膜的X 射线光电子能谱分析 | 第48-50页 |
| ·ZnO 薄膜的电学特性 | 第50-51页 |
| ·ZnO 薄膜的光学特性 | 第51-53页 |
| ·基于ZnO 薄膜器件的制作 | 第53-57页 |
| ·电极材料的选择 | 第53-54页 |
| ·基于n-Si 上的异质结器件的电学特性 | 第54-55页 |
| ·基于ITO 上的同质结器件的电学特性 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章参考文献 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 中文摘要 | 第61-64页 |
| Abstract | 第64-66页 |