| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·研究背景 | 第13-16页 |
| ·SiC 在辐照领域的应用优势 | 第13-15页 |
| ·SiC 材料和器件的发展 | 第15-16页 |
| ·国内外SiC 辐照效应的研究现状与存在的问题 | 第16-22页 |
| ·国外SiC 材料辐照效应的研究现状 | 第16-19页 |
| ·国外SiC 器件辐照效应的研究现状 | 第19-20页 |
| ·国内SiC 辐照效应的研究现状 | 第20-21页 |
| ·存在的问题 | 第21-22页 |
| ·本文的主要工作 | 第22-25页 |
| 第二章 辐照实验器件的制备 | 第25-39页 |
| ·外延材料的制备 | 第25-26页 |
| ·SiC SBD 工艺流程 | 第26-29页 |
| ·工艺设计 | 第26-27页 |
| ·工艺流程 | 第27-28页 |
| ·重点工艺说明 | 第28-29页 |
| ·器件测试与参数提取 | 第29-36页 |
| ·金属-半导体接触理论 | 第29-30页 |
| ·高频C-V 测试 | 第30-32页 |
| ·I-V 特性测试 | 第32-34页 |
| ·欧姆接触测试 | 第34-36页 |
| ·划片与封装 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-39页 |
| 第三章4H-SiC SBD γ射线辐照效应的研究 | 第39-51页 |
| ·研究现状与存在的问题 | 第39-40页 |
| ·γ射线辐照实验 | 第40-41页 |
| ·4H-SiC SBD γ射线辐照效应 | 第41-50页 |
| ·正向特性 | 第41-43页 |
| ·反向特性 | 第43-45页 |
| ·退化机理 | 第45页 |
| ·在线测试 | 第45-48页 |
| ·退火特性 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章4H-SiC SBD 电子辐照效应的研究 | 第51-65页 |
| ·研究背景 | 第51-52页 |
| ·实验条件 | 第52-53页 |
| ·实验结果与分析 | 第53-62页 |
| ·正向特性 | 第53-57页 |
| ·反向特性 | 第57-59页 |
| ·退化机理 | 第59-60页 |
| ·退火特性 | 第60-61页 |
| ·欧姆接触的退化 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-65页 |
| 第五章 4H-SiC MESFET 与SBD 中子辐照效应的研究 | 第65-77页 |
| ·研究背景 | 第65-66页 |
| ·实验条件与实验器件 | 第66-68页 |
| ·实验条件 | 第66-67页 |
| ·实验器件 | 第67-68页 |
| ·实验结果与分析 | 第68-74页 |
| ·4H-SiC MESFET 的中子辐照效应 | 第68-73页 |
| ·4H-SiC SBD 的中子辐照效应 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-77页 |
| 第六章 基于SiC SBD 的电离辐照探测器与辐射伏特电池的研究 | 第77-91页 |
| ·SiC SBD 电离辐照探测器 | 第77-85页 |
| ·研究背景 | 第77-78页 |
| ·工作机理 | 第78页 |
| ·模型与参数 | 第78-80页 |
| ·仿真与分析 | 第80-85页 |
| ·SiC SBD 辐射伏特电池 | 第85-89页 |
| ·研究背景 | 第85页 |
| ·工作机理 | 第85-86页 |
| ·实验测试 | 第86-88页 |
| ·分析与讨论 | 第88-89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 第七章 结束语 | 第91-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-113页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第113-115页 |