内建电场对纳结构半导体材料功函数调制研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1. 绪论 | 第8-11页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第8-10页 |
| ·国内外研究现状、发展动态 | 第10页 |
| ·课题主要研究内容 | 第10-11页 |
| 2. 内建电场的产生机制 | 第11-21页 |
| ·内建电场基本概念理论 | 第11-19页 |
| ·半导体PN结产生的内建电场 | 第11-13页 |
| ·压电效应及其描述，压电常数的物理意义 | 第13-18页 |
| ·铁电体（自发极化产生） | 第18-19页 |
| ·内建电场的实验测量方法 | 第19-21页 |
| 3. 半导体费米能级理论 | 第21-27页 |
| ·费米能级 | 第21-24页 |
| ·自由电子系统中的费米能级E_F | 第21-23页 |
| ·自由电子能带模型的费米能级E_F' | 第23-24页 |
| ·半导体能带中的费米能级 | 第24页 |
| ·掺杂半导体费米能级的计算 | 第24-27页 |
| 4. 半导体异质结 | 第27-36页 |
| ·半导体异质结的概念 | 第27-28页 |
| ·半导体异质结的能带图 | 第28-36页 |
| 5. 半导体材料的功函数 | 第36-39页 |
| ·功函数的概念及理论推导 | 第36-38页 |
| ·功函数的测量 | 第38-39页 |
| 6. 非对称势垒透射系数模拟计算 | 第39-60页 |
| ·透射系数的理论推导 | 第39-42页 |
| ·非对称势垒透射系数的模拟计算 | 第42-56页 |
| ·非对称双势垒 | 第42-44页 |
| ·非对称三势垒 | 第44-56页 |
| ·压电量子阱薄膜内建电场的实验分析 | 第56-60页 |
| 7. 内建电场对半导体功函数的调制 | 第60-66页 |
| ·通过晶体的压电效应进行调制 | 第60-61页 |
| ·通过铁电晶体的自发极化进行调制 | 第61-62页 |
| ·内建电场对半导体功函数调制模拟 | 第62-66页 |
| ·突变型PN结内建电场对功函数进行调制 | 第62-63页 |
| ·内建电场和功函数关系模拟 | 第63-64页 |
| ·内建电场和功函数关系结论 | 第64-66页 |
| 结论与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
