| 中文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·GaN 材料的晶体结构和基本性质 | 第11-17页 |
| ·GaN 材料和薄膜的研究进展 | 第17-19页 |
| ·GaN 薄膜制备工艺 | 第19-21页 |
| ·生长氮化镓常用衬底材料 | 第21-22页 |
| ·GaN 薄膜的掺杂 | 第22-23页 |
| ·选题依据和本论文的内容安排 | 第23-25页 |
| 第二章 薄膜理论模型及实验装置 | 第25-37页 |
| ·薄膜生长动力学 | 第25-28页 |
| ·脉冲激光沉积技术原理 | 第28-32页 |
| ·退火设备简介 | 第32-33页 |
| ·薄膜的性能表征 | 第33-37页 |
| 第三章不同退火温度对硅基氮化镓薄膜性质影响的研究 | 第37-51页 |
| ·退火对硅衬底氮化镓薄膜性质的研究 | 第37-38页 |
| ·在硅衬底上生长GaN 薄膜的步骤 | 第38-39页 |
| ·实验结果及分析 | 第39-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 第四章 不同缓冲层用于改善硅基氮化镓薄膜质量的研究 | 第51-60页 |
| ·在硅衬底上生长GaN 薄膜的实验步骤 | 第51-52页 |
| ·实验结果及分析 | 第52-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| ·本论文的主要研究成果 | 第60-61页 |
| ·对今后研究工作的建议 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |