| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景及其发展过程 | 第7-9页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·发展进程 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状及应用前景 | 第9-10页 |
| ·论文结构 | 第10-11页 |
| 第二章 SiC 材料概述 | 第11-19页 |
| ·SiC 晶体结构 | 第11-12页 |
| ·SiC 材料性质 | 第12-15页 |
| ·SiC 的电学性质 | 第12-14页 |
| ·碳化硅材料的光学性质 | 第14-15页 |
| ·SiC 材料中的缺陷 | 第15-16页 |
| ·SiC 单晶中主要的缺陷及形成原因 | 第15-16页 |
| ·SiC 单晶的缺陷分析技术 | 第16页 |
| ·SiC 材料的应用 | 第16-19页 |
| 第三章 半绝缘碳化硅单晶材料的制备方法 | 第19-25页 |
| ·SiC 材料的单晶生长 | 第19-22页 |
| ·Acheson 法 | 第19-20页 |
| ·Lely 法 | 第20页 |
| ·籽晶升华法 | 第20-21页 |
| ·外延生长法 | 第21-22页 |
| ·半绝缘SiC 单晶材料的制备方法 | 第22-23页 |
| ·晶体生长中的主要缺陷 | 第23-25页 |
| ·微管道 | 第23-24页 |
| ·多晶形问题 | 第24-25页 |
| 第四章 半绝缘SiC 单晶电学特性的常规测试及分析 | 第25-41页 |
| ·半导体微区测试方法的研究 | 第25-31页 |
| ·无接触法 | 第26页 |
| ·接触测量法 | 第26-28页 |
| ·微区电阻测试结果的表示方法 | 第28-29页 |
| ·微区薄层电阻测量所用方法 | 第29-30页 |
| ·微区测试的新进展 | 第30-31页 |
| ·霍尔测试原理与方法 | 第31-33页 |
| ·测试电路 | 第31页 |
| ·测试原理 | 第31-33页 |
| ·霍尔效应原理 | 第32页 |
| ·载流子浓度 | 第32页 |
| ·电阻率和迁移率 | 第32-33页 |
| ·霍尔测试法 | 第33-36页 |
| ·实验材料及设备 | 第33-34页 |
| ·样品表面预处理 | 第34页 |
| ·欧姆接触制备工艺 | 第34-35页 |
| ·I-V 测试 | 第35-36页 |
| ·碳化硅单晶载流子浓度的研究 | 第36-38页 |
| ·碳化硅单晶电阻率的研究 | 第38-41页 |
| ·光照条件和电阻率的关系实验 | 第38-39页 |
| ·电阻率和温度的关系 | 第39-40页 |
| ·电阻率的不均匀性 | 第40-41页 |
| 第五章 非接触电阻率面分布(COREMA)测试研究 | 第41-65页 |
| ·COREMA 测试技术 | 第41-46页 |
| ·COREMA 的特点及主要用途 | 第41页 |
| ·COREMA 的测试结构 | 第41-42页 |
| ·COREMA 的用途及其原理 | 第42-46页 |
| ·电阻测量 | 第42-44页 |
| ·测迁移率 | 第44-45页 |
| ·测量fermi 能级 | 第45-46页 |
| ·COREMA 设备信息介绍 | 第46-48页 |
| ·COREMA - WT (Wafer Topography)（晶片照片） | 第46-47页 |
| ·COREMA-RM(Resistivity, Mobility)（电阻，迁移率） | 第47页 |
| ·COREMA-VT（Variable Temperature）（温度的变化） | 第47-48页 |
| ·无损测量半绝缘碳化硅电阻率分布形貌图研究 | 第48-53页 |
| ·晶体生长工艺 | 第48-49页 |
| ·碳化硅晶体的化学分析 | 第49-50页 |
| ·电阻率分布形貌图绘制及电阻率分布 | 第50-52页 |
| ·结果分析 | 第52-53页 |
| ·半绝缘砷化镓、碳化硅晶片电子迁移率的无接触测量 | 第53-58页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·实验步骤 | 第54-56页 |
| ·结果讨论及展望 | 第56-58页 |
| ·电阻率和温度的关系探讨 | 第58-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 研究成果 | 第72-73页 |
