利用表面光伏谱研究氮化镓薄膜的光电行为
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| ·GaN材料的介绍 | 第8-16页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·GaN材料的研究历史与现状 | 第8-10页 |
| ·GaN材料的特性 | 第10-13页 |
| ·GaN基器件的广泛应用前景 | 第13-16页 |
| ·光生电荷性质的研究方法 | 第16-17页 |
| ·光谱电化学法 | 第16页 |
| ·光电导(光电流)方法 | 第16-17页 |
| ·表面光伏技术 | 第17页 |
| ·课题的提出及意义 | 第17-19页 |
| 2 表面光伏的原理及实验设备的搭建 | 第19-36页 |
| ·基本原理 | 第19-31页 |
| ·表面的能带结构 | 第19-20页 |
| ·表面光伏效应 | 第20-22页 |
| ·Dember光伏与扩散光伏 | 第22-24页 |
| ·光伏与入射光强的关系 | 第24-26页 |
| ·在界面研究中的应用 | 第26-27页 |
| ·实验方法 | 第27-31页 |
| ·实验设备的建立 | 第31-36页 |
| ·Kelvin探针 | 第32-33页 |
| ·单色仪 | 第33-35页 |
| ·光源 | 第35-36页 |
| 3 本实验所用到的其它测量分析方法 | 第36-42页 |
| ·X射线衍射 | 第36-37页 |
| ·原子力显微镜 | 第37-39页 |
| ·透射-吸收谱 | 第39页 |
| ·光致发光谱 | 第39-42页 |
| 4 实验结果与分析 | 第42-58页 |
| ·GaN/α-Al_2O_3薄膜的测量与分析 | 第42-51页 |
| ·GaN/α-Al_2O_3薄膜的XRD及PL谱 | 第43-44页 |
| ·AFM及表面功函数分析 | 第44-45页 |
| ·通过接触式方法测量表面光伏 | 第45-49页 |
| ·通过Kelvin探针法测量表面光伏 | 第49-50页 |
| ·随时间变化的光伏分析 | 第50-51页 |
| ·GaN/ITO薄膜的测量与分析 | 第51-58页 |
| ·GaN/ITO薄膜的XRD及紫外-可见透射谱 | 第52-53页 |
| ·AFM及表面功函数分析 | 第53-54页 |
| ·通过接触式方法测量表面光伏 | 第54-56页 |
| ·通过Kelvin探针法测量表面光伏 | 第56-57页 |
| ·随时间变化的光伏分析 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
