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砷化镓材料的团簇及其光电特性研究

摘要第1-5页
Abstract第5-11页
1 绪论第11-23页
   ·研究背景及意义第11-12页
   ·砷化镓团簇的研究概况与进展第12-18页
     ·团簇的概念第12-14页
     ·团簇的研究概况第14-16页
     ·砷化镓团簇的研究进展第16-18页
   ·半绝缘砷化镓深能级缺陷的研究进展第18-21页
     ·砷化镓材料的结构与特性第18-20页
     ·半绝缘砷化镓材料的深能级缺陷及其研究进展第20-21页
   ·论文选题及研究内容第21-22页
   ·本章小结第22-23页
2 团簇的研究方法第23-37页
   ·团簇的实验研究方法第23-27页
     ·团簇的制备方法第23-24页
     ·团簇的检测方法第24-27页
   ·团簇的理论研究方法第27-35页
     ·经验势方法和半经验计算方法第28-29页
     ·第一性原理计算方法第29-35页
   ·Gaussian程序第35页
   ·论文研究方法与技术路线第35-36页
   ·本章小结第36-37页
3 砷化镓中性团簇的几何结构及其性质第37-65页
   ·GaAs_n(n=1-7)中性团簇的几何结构及其性质第37-47页
     ·GaAs_n(n=1-7)团簇的几何结构第39-41页
     ·GaAs_n(n=1-7)团簇结构的稳定性第41-45页
     ·GaAs_n(n=1-7)团簇的振动频谱第45-47页
   ·Ga_2As_n(n=1-7)中性团簇的几何结构及其性质第47-55页
     ·Ga_2As_n(n=1-7)团簇的几何结构第49-51页
     ·Ga_2As_n(n=1-7)团簇的稳定性第51-53页
     ·Ga_2As_n(n=1-7)团簇的振动频谱第53-55页
   ·Ga_nAs_(n+1)(n=1-4)中性团簇的几何结构及其性质第55-59页
     ·Ga_nAs_(n+1)(n=1-4)团簇的几何结构第56-57页
     ·Ga_nAs_(n+1)(n=1-4)团簇的化学稳定性第57-58页
     ·Ga_nAs_(n+1)(n=1-4)团簇的振动频谱第58-59页
   ·(GaAs_n(n=1-4)中性团簇的化学稳定性与振动谱第59-61页
     ·(GaAs)_n(n=1-4)团簇的化学稳定性第59-60页
     ·(GaAs)_n(n=1-4)团簇的振动频谱第60-61页
   ·砷化镓中性团簇的稳定性比较第61-63页
     ·团簇的结构稳定性第61-62页
     ·团簇的化学稳定性第62-63页
     ·团簇的热稳定性第63页
   ·本章小结第63-65页
4 Ga_2As_n(n=1-7)离子团簇的结构及其性质第65-85页
   ·Ga_2As_n(n=1-7)正离子团簇的几何结构及其性质第65-73页
     ·Ga_2As_n(n=1-7)正离子团簇的几何结构第67-69页
     ·Ga_2As_n(n=1-7)正离子团簇的稳定性第69-71页
     ·Ga_2As_n(n=1-7)正离子团簇的振动频谱第71-73页
   ·Ga_2As_n(n=1-7)负离子团簇的几何结构及其性质第73-80页
     ·Ga_2As_n(n=1-7)负离子团簇的几何结构第75-77页
     ·Ga_2As_n(n=1-7)负离子团簇的稳定性第77-79页
     ·Ga_2As_n(n=1-7)负离子团簇的振动频谱第79-80页
   ·Ga_2As_n(n=1-7)离子团簇与中性团簇的稳定性比较第80-84页
     ·团簇的结构稳定性第81页
     ·团簇的化学稳定性第81-83页
     ·团簇的热稳定性第83-84页
   ·本章小结第84-85页
5 团簇对半绝缘砷化镓光电特性的影响第85-99页
   ·团簇对半绝缘砷化镓材料的影响第85-88页
     ·半绝缘砷化镓材料中的点缺陷第85-87页
     ·团簇与半绝缘砷化镓材料EL2能级的相关性第87-88页
   ·深能级缺陷对砷化镓材料光吸收特性的影响第88-97页
     ·不同波长激光触发半绝缘砷化镓光电导开关实验第89-93页
     ·实验分析与讨论第93-97页
   ·本章小结第97-99页
6 论文总结与展望第99-101页
   ·论文总结第99-100页
   ·工作展望第100-101页
致谢第101-102页
参考文献第102-113页
附录第113-115页

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