在碳化硅衬底上制备Si/SiC异质结

摘要	第1-4页
Abstract	第4-6页
1 绪论	第6-13页
·SiC材料简介	第6-7页
·SiC衬底上Si薄膜的研究进展	第7-11页
·本论文的研究目的、内容、创新点	第11-13页
2 LPCVD设备、工艺及生长机理分析	第13-25页
·热壁LPCVD生长设备	第13-18页
·供气系统	第13-15页
·反应室及加热装置	第15-16页
·真空机组及真空检测系统	第16页
·水循环系统	第16-17页
·温度控制系统	第17页
·尾气处理系统	第17页
·改进的供气系统	第17-18页
·异质外延Si单晶薄膜的工艺流程	第18-21页
·薄膜的生长的物理过程研究	第21-25页
·薄膜表面形核与生长	第21-22页
·异质外延薄膜生长三种模式	第22-25页
3 Si/SiC异质结的制备及特性表征	第25-49页
·低压化学气相淀积(LPCVD)的特点	第25-26页
·Si/SiC异质结的特性表征	第26-49页
·淀积温度对Si外延层表面形貌的影响	第27-34页
·淀积温度对Si外延层晶体品质的影响	第34-43页
·淀积时间对Si外延层晶体品质的影响	第43-44页
·其它工艺参数对Si外延层的影响	第44-45页
·p-Si/n-SiC异质结的整流特性	第45-49页
4 结论	第49-50页
致谢	第50-51页
参考文献	第51-53页
附录	第53页