| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·概述 | 第12-14页 |
| ·SnO_2薄膜的性质 | 第14-19页 |
| ·结构性质 | 第14-15页 |
| ·光学性质 | 第15页 |
| ·电学性质 | 第15-19页 |
| ·SnO_2薄膜的制备方法和应用 | 第19-23页 |
| ·SnO_2薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
| ·SnO_2薄膜的应用 | 第21-23页 |
| ·SnO_2薄膜的研究现状 | 第23-24页 |
| ·选题动机 | 第24-26页 |
| 第二章 实验设备和测试分析方法 | 第26-40页 |
| ·金属有机化学气相沉积法 | 第26-32页 |
| ·MOCVD法的基本原理 | 第26-27页 |
| ·MOCVD法的特点 | 第27页 |
| ·MOCVD系统 | 第27-29页 |
| ·本实验的MOCVD系统 | 第29-32页 |
| ·测试分析方法 | 第32-40页 |
| ·结构和成分测试分析 | 第32-34页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第34-35页 |
| ·光学性质的测量 | 第35-36页 |
| ·电学性质的测量 | 第36-40页 |
| 第三章 MOCVD法制备Zn掺杂SnO_2薄膜的研究 | 第40-56页 |
| ·薄膜的制备 | 第40-43页 |
| ·实验准备 | 第40-41页 |
| ·薄膜制备过程 | 第41-43页 |
| ·衬底材料对SnO_2:Zn薄膜结构性质的影响 | 第43-45页 |
| ·掺杂浓度对SnO_2:Zn薄膜性质的影响 | 第45-53页 |
| ·掺杂浓度对SnO_2:Zn薄膜结构性质的影响和组分分析 | 第45-48页 |
| ·掺杂浓度对SnO_2:Zn薄膜光学性质的影响 | 第48-52页 |
| ·掺杂浓度对SnO_2:Zn薄膜电学性质的影响 | 第52-53页 |
| ·空气中退火对SnO_2:Zn薄膜性质的影响 | 第53-56页 |
| ·空气中退火对SnO_2:Zn薄膜结构性质的影响 | 第53-55页 |
| ·空气中退火对SnO_2:Zn薄膜光学性质的影响 | 第55-56页 |
| 第四章 MOCVD法制备In掺杂SnO_2薄膜的研究 | 第56-65页 |
| ·掺杂浓度对SnO_2:In薄膜结构性质、成分的影响 | 第57-62页 |
| ·SnO_2:In薄膜结构分析 | 第57-59页 |
| ·SnO_2:In薄膜成分分析 | 第59-62页 |
| ·掺杂浓度对SnO_2:In薄膜光学性质的影响 | 第62-64页 |
| ·掺杂浓度对SnO_2:In薄膜电学性质的影响 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第70页 |
