| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-15页 |
| ·ZnO 在太阳电池中的应用 | 第9-11页 |
| ·ZnO 表面光伏行为表征 | 第11-12页 |
| ·关于Kelvin 探针 | 第12-13页 |
| ·本文的选题依据和研究的主要内容 | 第13-15页 |
| 第2章 电子功函数与表面光电压基础 | 第15-31页 |
| ·电子功函数基本概念 | 第15-22页 |
| ·电子功函数的宏、微观物理意义 | 第15-18页 |
| ·表面电子功函数 | 第18页 |
| ·半导体掺杂浓度对电子功函数的影响 | 第18-19页 |
| ·半导体中费米-狄拉克分布中退化因子对电子功函数影响 | 第19-20页 |
| ·光场作用下对均匀电子系统电子功函数的影响 | 第20-21页 |
| ·电子功函数在半导体器件中的应用 | 第21-22页 |
| ·电子功函数的常用测量方法 | 第22-24页 |
| ·热阴极发射阻挡电势法 | 第22-23页 |
| ·U -XPS 方法 | 第23页 |
| ·K elvin 探针方法 | 第23-24页 |
| ·表面光伏技术基本概念 | 第24-28页 |
| ·光电压及其表面光伏技术的发展 | 第24页 |
| ·表面光电压的产生 | 第24-27页 |
| ·表面光电压的衰减演化 | 第27-28页 |
| ·表面光电压的测量 | 第28-30页 |
| ·稳态测量模式 | 第28-30页 |
| ·Kelvin Probe 模式 | 第30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第3章 Kelvin 探针 | 第31-43页 |
| ·K elvin 探针测量原理与系统组成 | 第31-36页 |
| ·K elvin 探针的基本原理 | 第31-35页 |
| ·测量结果的修正 | 第35-36页 |
| ·K elvin 探针的优点 | 第36页 |
| ·微/纳米结构材料表面电子功函数的Kelvin 探针测量 | 第36-39页 |
| ·测量原理 | 第36-39页 |
| ·测量结果的修正 | 第39页 |
| ·表面光伏行为的Kelvin 探针表征原理 | 第39-42页 |
| ·K elvin 探针测量光电压的原理 | 第39-41页 |
| ·K elvin 探针表征材料光伏行为的优点 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第4章 ZnO 的CVD 法制备与Kelvin 探针实验表征 | 第43-60页 |
| ·C VD 法制备ZnO 样品 | 第43-44页 |
| ·制备设备 | 第43页 |
| ·制备过程 | 第43-44页 |
| ·样品物理性质表征 | 第44-49页 |
| ·表面形貌SEM 观察 | 第44-46页 |
| ·X RD 测试 | 第46页 |
| ·发射光谱测试 | 第46-49页 |
| ·Kelvin 探针调试 | 第49-53页 |
| ·振动探针至样品表面距离的确定 | 第49-50页 |
| ·V_b变化域对测量结果的影响 | 第50-51页 |
| ·探针至样品的距离对测量结果的影响 | 第51-53页 |
| ·Kelvin 探针重复性测试 | 第53页 |
| ·Z nO 样品的Kelvin 探针实验 | 第53-59页 |
| ·实验过程 | 第53-55页 |
| ·蒸发区温度对ZnO 表面电子功函数的影响 | 第55-56页 |
| ·蒸发区温度对ZnO 稳定表面光电压的影响 | 第56-57页 |
| ·蒸发区温度对ZnO 表面光电压衰减演化的影响 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第5章 结论与展望 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60页 |
| ·展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录A：攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第67页 |
