| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| ·IN_2O_3 基透明导电氧化物薄膜性质 | 第8-9页 |
| ·SNO_2 基透明导电氧化物薄膜性质 | 第9-10页 |
| ·ZNO 基透明导电氧化物薄膜性质 | 第10-11页 |
| ·本文立题思想 | 第11-13页 |
| 第二章 透明导电氧化物半导体的制备方法 | 第13-18页 |
| ·磁控溅射沉积 | 第13-14页 |
| ·真空蒸发沉积 | 第14-15页 |
| ·脉冲激光沉积法（PLD） | 第15-16页 |
| ·化学气相沉积（CVD） | 第16-17页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第17-18页 |
| 第三章 透明导电氧化物半导体的电学性能及研究进展 | 第18-27页 |
| ·TCO 薄膜的掺杂机理 | 第18页 |
| ·IN_2O_3 基透明导电薄膜的导电机制和电学特性 | 第18-19页 |
| ·SNO_2 基透明导电薄膜的导电机制和电学特性 | 第19-20页 |
| ·ZNO 基透明导电薄膜的导电机制和电学特性 | 第20-21页 |
| ·透明导电薄膜电学性能的测试 | 第21-23页 |
| ·透明导电氧化物研究进展 | 第23-27页 |
| 第四章 结论 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 致谢 | 第31页 |