| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·研究现状和主要问题 | 第9-11页 |
| ·研究现状 | 第9-10页 |
| ·需解决的问题 | 第10-11页 |
| ·论文结构 | 第11-12页 |
| 第二章 SiO_2介质材料辐射损伤表征原理研究 | 第12-28页 |
| ·SiO_2 介质材料的器件应用 | 第12-13页 |
| ·SiO_2 介质与MOS 器件 | 第12页 |
| ·SiO_2 介质缺陷与MOS 器件性能 | 第12-13页 |
| ·SiO_2 介质材料辐射损伤机理与模型 | 第13-20页 |
| ·SiO_2 介质辐射缺陷形成 | 第13-14页 |
| ·SiO_2 介质材料中缺陷的微观机制 | 第14-16页 |
| ·SiO_2 介质材料辐射损伤物理模型 | 第16-20页 |
| ·MOS 器件的辐射效应 | 第20-26页 |
| ·MOS 器件辐射电参数退化 | 第20-23页 |
| ·MOS 器件辐射噪声变化 | 第23-25页 |
| ·1/f 噪声与SiO_2 介质材料缺陷 | 第25-26页 |
| ·材料与器件相结合的辐射效应研究方法 | 第26-27页 |
| ·SiO_2 介质辐射损伤与MOS 器件性能退化 | 第26页 |
| ·材料辐射损伤-噪声测试样品研究方法 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 SiO_2介质材料辐射损伤灵敏表征参量研究 | 第28-46页 |
| ·实验样品设计 | 第28-32页 |
| ·SiO_2 介质材料辐照-噪声测试结构的设计思想 | 第28页 |
| ·测试样品的版图设计与制作 | 第28-32页 |
| ·辐照实验 | 第32-35页 |
| ·实验样品及实验条件 | 第32页 |
| ·参量测试平台 | 第32-35页 |
| ·辐照实验结果分析 | 第35-42页 |
| ·测试样品正确性验证 | 第35-38页 |
| ·SiO_2 介质材料辐射损伤物理模型验证 | 第38-39页 |
| ·噪声测试结果分析 | 第39-42页 |
| ·SiO_2 介质材料辐射损伤灵敏表征参量优选 | 第42-45页 |
| ·灵敏表征参量优选原则 | 第42页 |
| ·噪声参量与电参量的灵敏性比较 | 第42-43页 |
| ·噪声灵敏参量的忠实性优选 | 第43-44页 |
| ·噪声灵敏表征参量与电参数一致性比较 | 第44页 |
| ·噪声灵敏表征参量完备性判断 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 SiO_2介质材料辐射损伤噪声灵敏表征技术 | 第46-64页 |
| ·1/f 噪声表征模型 | 第46-54页 |
| ·1/f 噪声模型 | 第46-48页 |
| ·陷阱密度分布 | 第48-49页 |
| ·1/f 噪声与1/f~2 噪声模型 | 第49-51页 |
| ·MOSFET 中的1/f 噪声 | 第51-54页 |
| ·SiO_2 介质材料辐射损伤1/f 噪声表征模型 | 第54页 |
| ·SiO_2 介质材料辐射损伤噪声灵敏表征方法 | 第54-63页 |
| ·SiO_2 介质材料噪声灵敏表征方法概述 | 第54-56页 |
| ·参数提取方法 | 第56-60页 |
| ·失效判据 | 第60-61页 |
| ·测试流程 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-68页 |
| ·主要研究工作及结论 | 第64-65页 |
| ·展望 | 第65-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 在校期间研究成果 | 第75-76页 |
