| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·传统GaN基HEMT器件的研究进展 | 第10-13页 |
| ·GaN及其异质结材料在微波功率器件方面的优势 | 第10-12页 |
| ·传统GaN基HEMT器件的研究进展 | 第12-13页 |
| ·GaN基双异质结构的研究进展以及研究的意义 | 第13-17页 |
| ·国内外对GaN基双异质结及其HEMT器件的研究进展 | 第13-15页 |
| ·本文研究的意义 | 第15-17页 |
| ·本文的主要工作与安排 | 第17-18页 |
| 第二章 GAN基双异质结构理论研究 | 第18-34页 |
| ·GaN基异质结理论基础 | 第18-22页 |
| ·Ⅲ族氮化物异质结形成的物理基础 | 第18-19页 |
| ·AlGaN/GaN异质结的极化效应 | 第19-22页 |
| ·GaN基双异质结构的一维自洽模拟 | 第22-25页 |
| ·一维自洽模拟的数学物理模型 | 第22-23页 |
| ·边界条件的选定和自洽求解的实现过程 | 第23-25页 |
| ·不同GaN基双异质结构的设计和仿真 | 第25-33页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN/GaN结构 | 第25-28页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN结构 | 第28-30页 |
| ·AlGaN/InGaN/GaN结构 | 第30-32页 |
| ·AlGaN/GaN/InGaN/GaN结构 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 ALGAN/GAN双异质结材料特性研究 | 第34-46页 |
| ·AlGaN/GaN双异质结构材料的设计和生长 | 第34-37页 |
| ·AlGaN/GaN双异质结XRD衍射谱分析 | 第37-40页 |
| ·XRD衍射谱表征方法简介 | 第37-38页 |
| ·AlGaN/GaN双异质结材料的XRD衍射谱分析 | 第38-40页 |
| ·AlGaN/GaN双异质结材料的电学特性表征研究 | 第40-44页 |
| ·CV测试和分析 | 第40-43页 |
| ·Hall效应测试 | 第43-44页 |
| ·本章小节 | 第44-46页 |
| 第四章 ALGAN/GAN双异质结HEMT器件特性研究 | 第46-62页 |
| ·AlGaN/GaN双异质结HEMT的制造 | 第46-49页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs制造的关键工艺 | 第46-47页 |
| ·AlGaN/GaN双异质结HEMT器件的材料参数和工艺流程 | 第47-49页 |
| ·AlGaN/GaN双异质结HEMT器件特性 | 第49-56页 |
| ·直流特性和频率特性介绍 | 第49-51页 |
| ·器件特性参数的测量和分析 | 第51-56页 |
| ·AlGaN/GaN双异质结HEMT器件的电流崩塌效应 | 第56-60页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件中电流崩塌效应 | 第56-57页 |
| ·AlGaN/GaN双异质结HEMT器件中的电流崩塌效应研究 | 第57-60页 |
| ·本章小节 | 第60-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第74-75页 |
