| 提要 | 第1-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-18页 |
| ·光集成简介 | 第7-8页 |
| ·单片光集成技术 | 第8-11页 |
| ·光集成的实现方法 | 第11-16页 |
| ·本论文的工作及创新点 | 第16-17页 |
| ·论文纲要 | 第17-18页 |
| 第2章 量子阱混杂类型 | 第18-25页 |
| ·无杂质空位扩散(impurity-free vacancy disordering,IFVD) | 第18-20页 |
| ·杂质诱导扩散(impurity induced disordering,IID) | 第20-21页 |
| ·激光诱导扩散(laser induced disordering ,LID) | 第21-23页 |
| ·等离子诱导量子阱混杂(plasma induced disordering) | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第3章 量子阱混杂技术理论模型 | 第25-45页 |
| ·量子阱混杂机制简介 | 第25-26页 |
| ·A_xB_(1-x)C 系统的扩散 | 第26-27页 |
| ·A_xB_(1-x)C_yD_(1-y)扩散系统 | 第27-29页 |
| ·A_xB_(1-x)C_yD_(1-y) 系统中仅有 III 族元素扩散的情况 | 第28页 |
| ·A_xB_(1-x)C_yD_(1-y) 中的 III 族和 V 族元素互混的情况 | 第28-29页 |
| ·A_xB_(1-x)C_yD_(1-y) 系统中 V 族元素扩散的情况 | 第29页 |
| ·A_xB_(1-x)C_yD_(1-y)系统的理论模型 | 第29-37页 |
| ·扩散长度相同的互混(LdIII = LdV; k=1) | 第31-32页 |
| ·扩散长度不相同的互混(LdIII ≠LdV; k≠1) | 第32-37页 |
| ·量子阱扩散的理论计算过程 | 第37-43页 |
| ·坐标系下的扩散计算 | 第39页 |
| ·扩散后的成分包络 | 第39-40页 |
| ·扩散后的势能分布 | 第40-41页 |
| ·扩散量子阱的数值计算 | 第41-42页 |
| ·InxGa1-xAsyP1-y 系统的材料参数 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 基于 InGaAs/InP 单量子阱结构的等离子诱导混杂和 无杂质空位混杂中点缺陷扩散过程的研究 | 第45-74页 |
| ·InGaAs/InP 单量子阱结构等离子刻蚀过程优化 | 第46-48页 |
| ·InGaAs/InP 单量子阱结构快速热退火过程优化 | 第48-49页 |
| ·InGaAs/InP 单量子阱结构的绝缘层沉积过程优化 | 第49-51页 |
| ·在 InGaAs/InP 单量子阱结构应用偏振光致发光光谱研究等离子 增强混杂中点缺陷的移动 | 第51-62页 |
| ·偏振光致发光光谱方法概述 | 第51-55页 |
| ·利用偏振光致发光技术分析内建电场对点缺陷的影响 | 第55-59页 |
| ·利用偏振光致发光技术分析等离子轰击过程对点缺陷的影响 | 第59-62页 |
| ·在 InGaAs/InP 单量子阱结构应用偏振光致发光光谱研究无杂质 空位扩散中点缺陷的移动 | 第62-66页 |
| ·利用偏振光致发光技术研究不同绝缘盖层对点缺陷的影响 | 第62-64页 |
| ·利用偏振光致发光技术研究内建电场对点缺陷移动的影响 | 第64-66页 |
| ·在InGaAs/InP 多量子阱结构中其他参量对无杂质空位扩散的影响 | 第66-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第5章 InGaAs/InP 与 InGaAlAs/InP 多量子阱结构的多模干 涉器与电吸收调制器的单片集成 | 第74-99页 |
| ·InGaAsP/InP 多量子阱结构的等离子增强化学气相沉积过程优化 | 第74-75页 |
| ·InGaAsP/InP 多量子阱结构的绝缘层的反应离子刻蚀过程优化 | 第75-76页 |
| ·InGaAsP/InP 多量子阱结构的多模干涉仪 ( Multimode Interferometer, MMI)制作 | 第76-77页 |
| ·InGaAsP/InP 多量子阱结构的多模干涉器与电吸收调制器的制作 | 第77-87页 |
| ·InGaAsP/InP 与 InGaAlAs/InP 多量子阱结构集成器件的表征 | 第87-98页 |
| ·InGaAs/InP 与InGaAlAs/InP 多量子阱结构的多模干涉器的表征 | 第88-90页 |
| ·InGaAs/InP 与InGaAlAs/InP 多量子阱结构混杂直波导的表征 | 第90-92页 |
| ·InGaAs/InP 与InGaAlAs/InP 多量子阱结构电吸收调制器的表征 | 第92-94页 |
| ·InGaAs/InP 与InGaAlAs/InP 多量子阱结构“有源”部分确定的损耗 | 第94-95页 |
| ·InGaAs/InP 与InGaAlAs/InP 多量子阱结构MMI + EAMs 的表征 | 第95-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 第6章 总结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-111页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 摘要 | 第114-116页 |
| Abstract | 第116-118页 |
