| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·引言 | 第7-12页 |
| ·GaN材料与器件的广泛应用前景 | 第12-14页 |
| ·GaN基材料面临的问题及衬底评价 | 第14-18页 |
| 第二章 GaN的HVPE外延生长技术 | 第18-30页 |
| ·GaN的主要生长方法介绍 | 第18-20页 |
| ·HVPE的技术研究 | 第20-26页 |
| ·厚膜GaN材料生长的研究 | 第26-30页 |
| 第三章 HVPE生长的厚膜GaN表征 | 第30-52页 |
| ·GaN晶体质量的XRD表征 | 第30-36页 |
| ·HVPE厚膜GaN的表面缺陷表征 | 第36-47页 |
| ·GaN载流子浓度与迁移率的表征 | 第47-52页 |
| 第四章 采用HVPE技术生长支撑层GaN | 第52-60页 |
| ·采用HVPE生长的GaN薄膜来制备衬底的方法介绍 | 第52-54页 |
| ·制备自支撑GaN衬底的最新进展及存在的问题 | 第54-56页 |
| ·激光剥离技术与自支撑GaN衬底的获得 | 第56-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| ·总结 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |