| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-8页 |
| 第二章 掺杂半导体的导电性 | 第8-10页 |
| ·施主杂质和受主杂质及其能级 | 第8页 |
| ·混合掺杂的补偿作用 | 第8-10页 |
| 第三章 混合掺杂半导体的电中性方程 | 第10-15页 |
| ·半导体中电子的统计分布 | 第10页 |
| ·电中性方程的推导过程 | 第10-15页 |
| 第四章 费米能级的数值计算方法 | 第15-18页 |
| ·半分区间法解非线性方程 | 第15页 |
| ·复合辛普森法计算数值积分 | 第15-18页 |
| 第五章 用计算机求解费米能级 | 第18-28页 |
| ·求解费米能级和载流子浓度的计算机程序 | 第18-20页 |
| ·计算结果与讨论 | 第20-28页 |
| ·轻掺杂Si 材料费米能级与载流子浓度随温度的变化 | 第21-22页 |
| ·重掺杂Si 材料载流子浓度随温度的变化 | 第22-24页 |
| ·混合掺杂n 型Si 载流子浓度随温度的变化 | 第24-25页 |
| ·混合掺杂p 型Si 载流子浓度随温度的变化 | 第25-28页 |
| 第六章 混合掺杂半导体载流子浓度随温度情况分析 | 第28-30页 |
| ·载流子浓度随温度的变化规律的分区域讨论 | 第28-29页 |
| ·n 型混合掺杂情况 | 第28-29页 |
| ·p 型混合掺杂情况 | 第29页 |
| ·混合掺杂对半导体导电能力的影响 | 第29-30页 |
| 第七章 结束语 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 致谢 | 第32-33页 |
| 附录一 | 第33-34页 |
| 附录二 | 第34-36页 |
| 附录三 | 第36-38页 |
| 附录四 | 第38-39页 |