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材料
分子束外延生长AIN薄膜的初步研究
MgZnO薄膜的MOCVD法生长及其特性的研究
磷掺杂p型氧化锌薄膜的制备、性能和机制
PLD方法制备n-ZnO/i-ZnO/p-GaN异质结LED
带边调制方法研究氧化锌的绿光发射机制
InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器材料与设计研究
WO3-x光解水催化剂结构与性能关系研究
VLSI用栅介质Ta2O5薄膜制备与特性研究
镍合金（NiPt、NiAl、NiY）硅化物固相反应及其与Si肖特基接触特性研究
p型透明导电薄膜及其二极管的研究
SiC单晶抛光片的制备与表征
6H-SiC上3C-SiC缓冲层及SiCGe薄膜的生长
钒掺杂半绝缘SiC的制备及特性研究
SiC高温电学特性研究
基于多孔硅衬底的碳化硅APCVD生长研究
基于第一性原理的ZnO材料的计算机模拟计算
P型GaN欧姆接触特性研究
AlInGaN/GaN HFET结构材料设计与生长技术研究
基于ANSYS的MOCVD反应室有限元分析
MOCVD设备反应室的设计与分析
非晶硅薄膜光学性质的研究及铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜
铝诱导晶化制备多晶硅薄膜的研究
水热合成ZnO稀磁半导体的研究
钛基SnO2-SbOx电极固溶体形成作用机制的研究
氨化Si基Ga2O3/Ta薄膜制备一维GaN纳米结构研究
Si基ZnO纳米结构制备及其生长机理研究
应变GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应
Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜结构和磁性研究
射频磁控溅射制备ZnO基稀磁半导体薄膜工艺研究
热丝化学气相沉积制备大面积金刚石薄膜工艺的研究
ZnS及其掺杂量子点的制备与荧光性能研究
InP晶体合成、生长和特性
MFeO3基半导体材料制备及气敏性能研究
表面金属化—共沉积法制备金刚石/铜基封装材料的研究
利用金属氧化法在不同衬底上制备氧化钒薄膜的研究
蓝宝石的冲击光辐射及其高压相图
磁控溅射法制备WO3基薄膜及相关物理性能的研究
掺杂ZnO的电子结构和光学性质研究
GaN材料的溶胶凝胶法制备及其团簇结构的研究
溶胶—凝胶法制备Co掺杂ZnO基稀磁半导体的研究
半导体发光材料的光学特性表征及分析
石墨电极下多孔硅的蓝光发射研究
Bi4Ti3O12及Na0.5Bi0.5TiO3铁电薄膜掺杂的制备工艺及性能研究
GaAs（111）面量子阱材料的生长及其光电特性的研究
ZnO中掺杂与扩散性质的第一原理研究
Co掺杂SnO2稀磁半导体的制备与性能研究
金属诱导结晶硅及其应用
GaAs/InP、Si/GaAs异质外延生长技术及其在集成光电子器件中的应用
半导体异质外延材料的应变场及量子点弛豫度的计算
基于低温InGaP组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延
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