摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
第一章 绪论 | 第8-13页 |
§1.1 引言 | 第8页 |
§1.2 ZnO的基本性质 | 第8-10页 |
§1.2.1 ZnO的结构 | 第8-10页 |
§1.2.2 ZnO的电学性质 | 第10页 |
§1.2.3 ZnO的光学性质 | 第10页 |
§1.3 ZnO的本征缺陷 | 第10-11页 |
§1.4 本论文的主要内容 | 第11-13页 |
第二章 密度泛函理论与计算方法 | 第13-18页 |
§2.1 计算模拟 | 第13页 |
§2.2 多电子体系的薛定谔方程 | 第13-14页 |
§2.3 密度泛函理论 | 第14-17页 |
§2.4 CASTEP计算工具 | 第17-18页 |
第三章 ZnO的电子结构 | 第18-21页 |
§3.1 模型与参数选择 | 第18页 |
§3.2 计算结果与讨论 | 第18-21页 |
§3.2.1 几何优化结果 | 第18-19页 |
§3.2.2 ZnO的能带和态密度 | 第19-21页 |
第四章 ZnO的p型掺杂研究 | 第21-26页 |
§4.1 引言 | 第21页 |
§4.2 模型与参数选择 | 第21-22页 |
§4.3 计算结果与讨论 | 第22-25页 |
§4.3.1 C代Zn位ZnO的能带和态密度 | 第22页 |
§4.3.2 C代O位ZnO的能带和态密度 | 第22-23页 |
§4.3.3 C代Zn位与C代O位共掺ZnO的能带和态密度 | 第23-24页 |
§4.3.4 电荷分布 | 第24-25页 |
§4.4 小结 | 第25-26页 |
第五章 掺杂ZnO系统的带隙调节 | 第26-32页 |
§5.1 引言 | 第26页 |
§5.2 模型与参数选择 | 第26-27页 |
§5.3 计算结果与讨论 | 第27-31页 |
§5.3.1 Be掺杂ZnO和Mg掺杂ZnO系统 | 第27-28页 |
(1) 优化后的晶格参数和形成能 | 第27-28页 |
(2) 掺杂系统的带隙 | 第28页 |
§5.3.2 Be-Mg共掺杂ZnO系统 | 第28-31页 |
(1) 优化后的晶格参数和形成能 | 第28-29页 |
(2) 带隙展宽机制 | 第29-31页 |
§5.4 小结 | 第31-32页 |
参考文献 | 第32-35页 |
在校期间发表的学术论文 | 第35-36页 |
致谢 | 第36页 |