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GaN基稀磁半导体的理论与实验研究

摘要第1-8页
Abstract第8-15页
第一章 绪论第15-28页
   ·研究背景第15-16页
   ·稀磁半导体的研究进展第16-18页
     ·稀磁半导体的概念第16页
     ·稀磁半导体的基本性质第16-17页
     ·稀磁半导体的研究与进展第17-18页
   ·GaN基稀磁半导体第18-22页
     ·GaN的基本性质第18-19页
     ·GaN基稀磁半导体的研究进展第19-22页
   ·Mn掺杂GaN的实验进展第22-25页
     ·结构分析第22-23页
     ·光学特性第23页
     ·磁学特性第23-25页
     ·存在的问题第25页
   ·本文的主要研究工作第25-28页
第二章 Mn掺杂GaN的第一性原理计算第28-46页
   ·计算程序简介第28-32页
     ·晶体结构的优化第28-29页
     ·态密度(DOS)和分波态密度(PDOS)的计算第29-30页
     ·光学性质的计算第30-32页
   ·模型结构和计算方法第32-34页
     ·理论模型第32-33页
     ·计算方法第33-34页
   ·结果与讨论第34-45页
     ·GaN的电子结构第34-37页
     ·掺杂计算的结果与讨论第37-45页
   ·本章小结第45-46页
第三章 GaN基稀磁半导体的制备方法及实验设计第46-64页
   ·离子注入的工艺特点及基本原理第46-52页
     ·离子注入工艺优势第46-47页
     ·离子注入材料的物理过程第47-49页
     ·注入离子在靶中的浓度分布第49-50页
     ·单晶靶中离子注入的沟道效应第50-51页
     ·离子注入损伤第51-52页
   ·离子注入的退火第52-54页
     ·离子注入退火目的第52-53页
     ·离子注入的退火方法第53页
     ·离子注入退火所存在的困难第53-54页
   ·Mn离子注入制备GaN基稀磁半导体的TRIM模拟第54-57页
     ·Mn离子注入GaN射程分布的模拟第54-55页
     ·Mn离子注入GaN浓度分布的模拟第55-57页
   ·离子注入和退火的实验与测试第57-63页
     ·Mn离子注入GaN的注入条件设计第57-59页
     ·表面形貌第59-61页
     ·退火对注入损伤的修复分析第61-63页
   ·本章小结第63-64页
第四章 Mn离子注入GaN微结构和光学特性的研究第64-88页
   ·Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构的研究第64-75页
     ·X射线能量色散谱研究第64-65页
     ·X射线衍射(XRD)研究第65-67页
     ·拉曼散射(Raman)研究第67-75页
   ·Mn离子注入非故意掺杂GaN光致发光的研究第75-83页
     ·GaN中基本的辐射跃迁过程及几种具体发光过程的光谱特征第75-78页
     ·存在的问题和争议第78-79页
     ·Mn离子注入非故意掺杂GaN光致发光谱的测试分析第79-83页
   ·Mn离子注入Mg掺杂GaN微结构和光学特性的研究第83-86页
     ·Mn离子注入Mg掺杂GaN微结构的研究第83-84页
     ·Mn离子注入Mg掺杂GaN光致发光的研究第84-86页
   ·本章小结第86-88页
第五章 Mn离子注入GaN磁学和电学特性的研究第88-103页
   ·Mn离子注入未掺杂GaN磁学特性的研究第88-93页
     ·振动样品磁强计(VSM)第88-89页
     ·M-H测试分析第89-91页
     ·M-T测试分析第91页
     ·结果与讨论第91-93页
   ·Mn离子注入未掺杂GaN电学特性的研究第93-98页
     ·汞探针C-V测试第93-94页
     ·霍尔测试第94-96页
     ·结果与讨论第96-98页
   ·Mn离子注入Mg掺杂GaN磁学和电学特性的研究第98-102页
     ·Mn离子注入Mg掺杂GaN磁学特性的研究第98-100页
     ·Mn离子注入Mg掺杂GaN电学特性的研究第100-102页
   ·本章小结第102-103页
第六章 总结第103-108页
致谢第108-109页
参考文献第109-121页
 第一章第109-114页
 第二章第114-115页
 第三章第115-116页
 第四章第116-119页
 第五章第119-121页
作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目第121-123页
 一、科研论文第121-122页
 二、奖励和荣誉第122页
 三、参加的科研项目第122-123页

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