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材料
纳米结构制备和硅单电子晶体管的研究
用升华法在硅衬底上外延生长β碳化硅薄膜
稀土氧化物对氧化锌压敏阀片的作用效应及其微观组织结构研究
n型6H-SiC金半接触及相关工艺研究
硅中注氦诱生微孔对金吸除作用的研究
体Si和SOI上高k介质材料研究和应用探索
SGOI新材料制备与PⅢ硅基发光材料研究
低剂量超薄SIMOX圆片制备技术的应用研究
用于GaN材料制备的HVPE外延系统反应室模拟
SOI材料的制备及纳米空腔吸杂
掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料性质的研究
半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究
Φ200mm低氧碳CZSi单晶的制备及计算机数值模拟
大直径CZ硅单晶中流动图形缺陷（FPDs）的研究
砷化镓表面特性及紫外光激发下表面氧化反应研究
硅中的碳、氮、氧及其相互作用
晶体硅中过渡族金属的沉淀规律
直拉硅单晶中氧沉淀及其诱生缺陷的透射电镜研究
直拉重掺硼硅单晶中氧沉淀的研究
多孔硅与有机材料复合光电特性研究
硅片氮气直接氮化的动力学和机理研究
直拉硅单晶的快速热处理（RTP）研究
GaN基材料的欧姆接触及相关器件研究
TEOS射频辉光放电分解淀积P-SiO2和P-SiON薄膜的研究
新型有机电荷传输材料的合成及在OPC中的应用
新型稀磁半导体MnxCd1-xIn2Te4晶体生长及组织结构与性能研究
自组装GaN/AlN量子点结构生长的初步研究
磁控溅射法制备碳化硅薄膜的特性研究
P型杂质Ga在SiO2-Si内界面的分凝特性研究与探讨
新型稀磁半导体Cd1-xMnxIn2Te4的晶体生长与性能表征
导电玻璃和硅上热壁外延生长砷化镓薄膜的研究
用CVD法制备红外块材料ZnS
有机无机复合电致发光和固态类阴极射线发光的研究
硫镓银（AgGaS2）多晶合成与单晶生长研究
β碳化硅晶体生长技术的若干基本问题
金刚石薄膜制备及其在改善电力电子器件热特性方面的研究
碳化硅晶体生长设备的研制
用LPCVD法在硅衬底上生长3C-Sic
金刚石薄膜的制备形核及其半导体性质的研究
溶胶—凝胶法制备nc-Si/SiO2结构的发光特性研究
半绝缘砷化镓中微缺陷的研究
热处理对非掺杂半绝缘LECGaAs本征缺陷及电特性影响的研究
NDLECSI GaAs衬底材料对MESFET器件性能的影响
多孔硅外延层转移SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究
氧化钒红外敏感膜和非致冷焦平面成像阵列研究
水等离子体离子注入形成SOI结构材料的研究
GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究
SiGe-OI新材料制备及其应用的探索研究
烧结炭化硅晶体的制备、结构及光致发光特性
硒化镉（CdSe）单晶体的生长及其性能研究
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