| 第一章 文献评述 | 第1-26页 |
| §1-1 GaAs材料的结构、特点 | 第8-10页 |
| 1-1-1 GaAs的结构 | 第8-9页 |
| 1-1-2 GaAs的性质 | 第9-10页 |
| §1-2 SI-GaAs单晶生长 | 第10-12页 |
| 1-2-1 常用GaAs单晶生长方法 | 第10-11页 |
| 1-2-2 SI-GaAs单晶生长 | 第11-12页 |
| §1-3 GaAs的应用领域和发展现状 | 第12-13页 |
| 1-3-1 GaAs的应用领域 | 第12页 |
| 1-3-2 国内外GaAs发展现状 | 第12-13页 |
| §1-4 GaAs中常见的杂质和缺陷类型 | 第13-21页 |
| 1-4-1 点缺陷 | 第13-14页 |
| 1-4-2 SI-GaAs单晶中的位错的研究 | 第14-17页 |
| 1-4-3 对SI GaAs单晶中滑移位错形成胞状和系属结构的研究 | 第17-19页 |
| 1-4-4 SI-GaAs单晶中位错的电活性问题 | 第19-21页 |
| §1-5 研究微缺陷的重要意义 | 第21-22页 |
| §1-6 GaAs中微缺陷的研究现状 | 第22-25页 |
| 1-6-1 微缺陷定义存在的问题 | 第22页 |
| 1-6-2 微缺陷研究现状 | 第22-24页 |
| 1-6-3 退火的影响 | 第24-25页 |
| §1-7 本论文的研究重点和实验方法的确定 | 第25-26页 |
| 第二章 超声AB腐蚀法 | 第26-33页 |
| §2-1 腐蚀机理 | 第26-28页 |
| 2-1-1 试剂和设备 | 第26页 |
| 2-1-2 方法原理 | 第26页 |
| 2-1-3 腐蚀液各成分的作用 | 第26-28页 |
| §2-2 腐蚀过程 | 第28页 |
| 2-2-1 腐蚀片准备 | 第28页 |
| 2-2-2 AB腐蚀液配制 | 第28页 |
| 2-2-3 腐蚀工艺 | 第28页 |
| §2-3 腐蚀结果和分析 | 第28-33页 |
| 2-3-1 腐蚀结果和分析 | 第28-31页 |
| 2-3-2 与其他腐蚀法相比较的优越性 | 第31-33页 |
| 第三章 快速扫描光荧光（PL Mapping）技术 | 第33-37页 |
| §3-1 基本原理 | 第33页 |
| §3-2 测量过程和结果分析 | 第33-37页 |
| 第四章 X射线扫描透形貌技术 | 第37-40页 |
| §4-1 X射线扫描透射形貌技术的原理 | 第37-39页 |
| §4-2 测量过程和结果分析 | 第39-40页 |
| 第五章 透射电镜（TEM）技术 | 第40-44页 |
| §5-1 TEM的工作原理 | 第40-42页 |
| §5-2 实验结果 | 第42-44页 |
| 第六章 讨论 | 第44-51页 |
| §6-1 位错 | 第44-45页 |
| 6-1-1 位错的成因 | 第44页 |
| 6-1-2 位错的分布 | 第44-45页 |
| §6-2 微缺陷 | 第45-49页 |
| 6-2-1 微缺陷的分布 | 第45-46页 |
| 6-2-2 微缺陷形成的两个阶段 | 第46-48页 |
| 6-2-3 微缺陷的密度以及退火的作用 | 第48-49页 |
| §6-3 加工损伤 | 第49-51页 |
| 第七章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55页 |