| 中文摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-5页 |
| 1 引言 | 第5-15页 |
| ·半导体核辐射探测器材料 | 第5-6页 |
| ·候选材料的探索 | 第6页 |
| ·几种常用半导体材料的性能参数 | 第6-8页 |
| ·室温半导体核辐射探测器的现状 | 第8-10页 |
| ·CdSe半导体核辐射探测器材料 | 第10-13页 |
| ·CdSe单晶体的制备 | 第13-15页 |
| 2 CdSe原料的多级提纯 | 第15-16页 |
| ·问题的提出 | 第15-16页 |
| ·多级提纯工艺 | 第16页 |
| 3 单晶体的生长 | 第16-22页 |
| ·CdSe晶体相图 | 第16-18页 |
| ·晶体生长实验 | 第18-22页 |
| 4 结果和讨论 | 第22-28页 |
| ·关于CdSe的离解 | 第22-24页 |
| ·CdSe晶体的表征 | 第24-28页 |
| 5 CdSe探测器研制的初步结果 | 第28-31页 |
| ·CdSe探测器的基本原理 | 第28-29页 |
| ·CdSe探测器的探测实验 | 第29-31页 |
| ·结论 | 第31页 |
| 6 总结 | 第31-32页 |
| ·结论 | 第31页 |
| ·存在问题 | 第31-32页 |
| ·展望 | 第32页 |
| 致谢 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 附件 | 第35页 |