| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-10页 |
| 序言 | 第10-12页 |
| 第一章 快速热处理 | 第12-18页 |
| 1．1 引言 | 第12页 |
| 1．2 RTP的优点和在集成电路制造中的应用 | 第12-13页 |
| 1．3 RTP在硅材料缺陷工程中的应用 | 第13-18页 |
| 1．3．1 MDZ的优点 | 第13-14页 |
| 1．3．2 MDZ的原理 | 第14-18页 |
| 第二章 硅中的氮及氮氧复合体 | 第18-27页 |
| 2．1 引言 | 第18页 |
| 2．2 硅中氮的引入及存在形态 | 第18-20页 |
| 2．2．1 硅中氮的引入 | 第18-19页 |
| 2．2．2 氮在硅中的存在形态 | 第19-20页 |
| 2．3 氮的溶解度及扩散 | 第20-24页 |
| 2．3．1 氮的溶解度 | 第20-21页 |
| 2．3．2 氮的扩散 | 第21-24页 |
| 2．4 氮氧复合体的热稳定性以及对硅片电学性能的影响 | 第24-27页 |
| 第三章 硅中的氧及施主缺陷 | 第27-35页 |
| 3．1 引言 | 第27页 |
| 3．2 硅中氧的扩散 | 第27-30页 |
| 3．2．1 氧的引入 | 第27-28页 |
| 3．2．2 氧扩散的研究方法和扩散系数 | 第28页 |
| 3．2．3 氧在硅中的扩散机理 | 第28-30页 |
| 3．3 硅中的热施主 | 第30-32页 |
| 3．2．1 热施主的基本性质 | 第30页 |
| 3．2．2 热施主的形成机理与结构模型 | 第30-32页 |
| 3．4 硅中氧的新施主 | 第32-35页 |
| 3．3．1 新施主的结构模型和基本性质 | 第33-35页 |
| 第四章 高温RTP预处理对硅中热施主特性的影响 | 第35-49页 |
| 4．1 引言 | 第35页 |
| 4．2 实验 | 第35-49页 |
| 4．2．1 实验装置 | 第35-42页 |
| 4．2．2 实验样品 | 第42页 |
| 4．2．3 实验步骤 | 第42-43页 |
| 4．2．4 实验结果与讨论 | 第43-47页 |
| 4．2．5 实验结论 | 第47-49页 |
| 第五章 高温RTP处理中氮、氧杂质的内扩散研究 | 第49-74页 |
| 5．1 引言 | 第49页 |
| 5．2 实验设备 | 第49-50页 |
| 5．3 高温RTP处理对硅片电学性能的影响 | 第50-53页 |
| 5．3．1 实验样品 | 第50页 |
| 5．3．2 实验步骤 | 第50页 |
| 5．3．3 实验结果与讨论 | 第50-53页 |
| 5．4 RTP预处理过程中氮的内扩散 | 第53-57页 |
| 5．3．1 实验样品 | 第53页 |
| 5．3．2 实验步骤 | 第53-54页 |
| 5．3．3 实验结果与讨论 | 第54-57页 |
| 5．5 RTP处理过程中氮内扩散影响因素和扩散机理研究 | 第57-62页 |
| 5．4．1 实验样品 | 第57页 |
| 5．4．2 实验步骤 | 第57-58页 |
| 5．4．3 实验结果与讨论 | 第58-62页 |
| 5．6 高温RTP处理中氮内扩散的扩散系数和机理研究 | 第62-69页 |
| 5．7 RTP处理中氧的内扩散研究 | 第69-72页 |
| 5．6．1 实验样品 | 第70页 |
| 5．6．2 实验步骤 | 第70页 |
| 5．6．3 实验结果与讨论 | 第70-72页 |
| 5．8 本章小结 | 第72-74页 |
| 第六章 硅单晶中热施主和氮氧复合体的快速热处理消除 | 第74-82页 |
| 6．1 引言 | 第74页 |
| 6．2 用RTP消除热施主的研究 | 第74-78页 |
| 6．2．1 实验样品 | 第74-75页 |
| 6．2．2 实验步骤 | 第75页 |
| 6．2．3 实验结果与讨论 | 第75-78页 |
| 6．3 RTP消除氮氧复合体的研究 | 第78-81页 |
| 6．3．1 实验样品 | 第78页 |
| 6．3．2 实验步骤 | 第78页 |
| 6．3．3 结果与讨论 | 第78-81页 |
| 6．4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第七章 总结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-92页 |
