| 第一章 绪论 | 第1-11页 |
| §1．1 微电子技术向光电子技术的发展 | 第7页 |
| §1．2 硅基光电子集成中光发射器件的发展概况 | 第7-11页 |
| 第二章 硅基光发射材料研究进展 | 第11-25页 |
| §2．1 稀土杂质掺入的硅基光发射 | 第11-13页 |
| §2．2 多孔硅发光 | 第13-14页 |
| §2．3 基于能带工程的硅基异质结构发光 | 第14-17页 |
| §2．4 局域态nc-Si及量子点的发光研究 | 第17-22页 |
| §2．4．1 局域态nc-Si的发光研究 | 第17-20页 |
| §2．4．2 硅基量子点的发光研究 | 第20-22页 |
| §2．5 硅基材料发光研究的展望 | 第22-24页 |
| §2．6 小结 | 第24-25页 |
| 第三章 Si基量子点中的分立能级和态密度分布 | 第25-36页 |
| §3．1 量子点中电子的能量状态 | 第25-29页 |
| §3．2 量子点中电子的态密度分布 | 第29-32页 |
| §3．2．1 体材料中电子的态密度分布 | 第29页 |
| §3．2．2 量子阱中电子的态密度分布 | 第29-31页 |
| §3．2．3 几种材料中电子态密度分布的比较 | 第31-32页 |
| §3．3 介电受限对量子点中受限激子的影响 | 第32-35页 |
| §3．4 小结 | 第35-36页 |
| 第四章 Si基量子点激光器的增益和阈值电流 | 第36-46页 |
| §4．1 量子点激光器的增益 | 第36-39页 |
| §4．1．1 粒子数反转 | 第36-37页 |
| §4．1．2 量子点材料的能带结构 | 第37-38页 |
| §4．1．3 量子点激光器的增益 | 第38-39页 |
| §4．2 量子点激光器的微分增益 | 第39-40页 |
| §4．3 量子点激光器的阈值电流及阈值电流与温度关系 | 第40-43页 |
| §4．3．1 量子点激光器的阈值电流J_（th） | 第40-41页 |
| §4．3．2 量子点激光器阈值电流J_（tk）与温度T的关系 | 第41-43页 |
| §4．4 实现硅基量子点激光器存在的问题 | 第43-45页 |
| §4．5 小结 | 第45-46页 |
| 第五章 溶胶-凝胶法制备nc-Si/SiO_2薄膜 | 第46-53页 |
| §5．1 制备硅基量子点结构的主要方法 | 第46-47页 |
| §5．2 sol-gel法制备nc-Si/SiO_2薄膜概述 | 第47-48页 |
| §5．2．1 制备量子点结构方法的比较 | 第47页 |
| §5．2．2 sol-gel方法简介 | 第47-48页 |
| §5．2．3 sol-gel法制备nc-Si/SiO_2薄膜的优缺点 | 第48页 |
| §5．3 sol-gel法制备nc-Si/SiO_2薄膜的工艺流程及研究 | 第48-52页 |
| §5．3．1 衬底的清洁 | 第48-49页 |
| §5．3．2 sol-gel法制备nc-Si/SiO_2薄膜的过程 | 第49页 |
| §5．3．3 SiO_x溶胶的形成过程 | 第49-50页 |
| §5．3．4 sol-gel法制备nc-Si/SiO_2薄膜工艺的研究 | 第50-52页 |
| §5．4 小结 | 第52-53页 |
| 第六章 sol-gel法制备nc-Si/SiO_2薄膜的研究 | 第53-56页 |
| §6．1 SiO_2薄膜的厚度 | 第53页 |
| §6．2 SiO_2薄膜的扫描电子显微镜图像 | 第53-54页 |
| §6．3 SiO_2薄膜的能谱图 | 第54-56页 |
| 结束语 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
