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磁控溅射法制备碳化硅薄膜的特性研究

第一章 绪论第1-25页
 第一节 引言第9-12页
 第二节 碳化硅薄膜的研究现状第12-23页
 第三节 选题依据第23-25页
第二章 实验第25-29页
 第一节 碳化硅薄膜的制备第25-28页
 第二节 碳化硅薄膜的退火第28页
 第三节 碳化硅薄膜的特性测量第28-29页
第三章 实验结果与讨论第29-50页
 第一节 氮退火对碳化硅薄膜的影响第29-36页
 第二节 氢退火对碳化硅薄膜的影响第36-42页
 第三节 碳纳米线的制备第42-45页
 第四节 氮、氢退火对碳化硅薄膜影响的对比分析第45-48页
 第五节 碳化硅薄膜的光致荧光特性第48-50页
第四章 结论第50-51页
致谢第51-52页
参考文献第52-59页
作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录第59页

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