| 目录 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-36页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·过渡族金属在硅中的固溶度 | 第14-17页 |
| ·过渡族金属在硅中的扩散 | 第17-23页 |
| ·硅中铜的扩散 | 第19-20页 |
| ·硅中镍的扩散 | 第20-21页 |
| ·硅中铁的扩散 | 第21-23页 |
| ·过渡族金属在硅中的沉淀规律 | 第23-30页 |
| ·晶体硅中铜的沉淀规律 | 第24-27页 |
| ·晶体硅中镍的沉淀规律 | 第27-28页 |
| ·晶体硅中铁的沉淀规律 | 第28-30页 |
| ·过渡族金属沉淀对硅材料电学性能和氧沉淀规律的影响 | 第30-33页 |
| ·过渡族金属沉淀对硅电学性能的影响 | 第30-32页 |
| ·过渡族金属沉淀对硅中氧沉淀生成规律的影响 | 第32-33页 |
| ·评论及其存在的问题 | 第33-36页 |
| 第三章 实验方案及实验设备介绍 | 第36-45页 |
| ·实验方案 | 第36-43页 |
| ·研究晶体硅中金属沉淀的试验方案 | 第36-40页 |
| ·研究晶体硅中金属沉淀对氧沉淀规律影响的试验方案 | 第40-43页 |
| ·实验设备 | 第43-45页 |
| 第四章 晶体硅中的铜沉淀规律 | 第45-78页 |
| ·大直径硅中本征点缺陷对铜沉淀的影响 | 第45-57页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·在快速冷却下大直径单晶硅中的铜沉淀规律 | 第46-52页 |
| ·在慢速冷却下大直径单晶硅中的铜沉淀规律 | 第52-57页 |
| ·小直径单晶硅中的铜沉淀规律 | 第57-61页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·实验结果 | 第57-60页 |
| ·实验结果讨论 | 第60-61页 |
| ·结论 | 第61页 |
| ·铸造多晶硅中铜沉淀规律 | 第61-77页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·实验结果 | 第62-72页 |
| ·实验结果讨论 | 第72-76页 |
| ·结论 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 晶体硅中镍沉淀规律 | 第78-98页 |
| ·大小直径直拉单晶硅中镍沉淀规律 | 第78-88页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·实验结果 | 第79-84页 |
| ·实验结果讨论 | 第84-87页 |
| ·结论 | 第87-88页 |
| ·铸造多晶硅中镍沉淀规律 | 第88-97页 |
| ·引言 | 第88页 |
| ·实验结果 | 第88-95页 |
| ·实验结果讨论 | 第95-96页 |
| ·结论 | 第96-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 第六章 晶体硅中的铁沉淀规律 | 第98-109页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·实验结果 | 第99-106页 |
| ·大小直径单晶硅中铁沉淀规律 | 第99-102页 |
| ·铸造多晶硅中铁沉淀规律 | 第102-106页 |
| ·实验结果讨论 | 第106-108页 |
| ·结论 | 第108-109页 |
| 第七章 单晶硅中过渡族金属沉淀对氧沉淀的影响 | 第109-123页 |
| ·引言 | 第109-111页 |
| ·实验结果 | 第111-120页 |
| ·普通或掺氮直拉单晶硅中铜沉淀对氧沉淀的影响 | 第111-117页 |
| ·普通或掺氮直拉单晶硅中镍沉淀对氧沉淀的影响 | 第117-120页 |
| ·实验结果讨论 | 第120-122页 |
| ·结论 | 第122-123页 |
| 第八章 总结 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-140页 |
| 附录: 博士在读期间发表及待发表论文 | 第140-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |