| 摘要 | 第1-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-12页 |
| 第二章 综述 | 第12-47页 |
| ·区熔法 | 第12-13页 |
| ·直拉法 | 第13-15页 |
| ·氧对硅材料的主要影响 | 第15页 |
| ·硅中间隙氧原子的物理特性 | 第15-22页 |
| ·氧的溶解度 | 第15-19页 |
| ·氧的扩散 | 第19-22页 |
| ·氧沉淀 | 第22-28页 |
| ·影响氧沉淀的因素 | 第23-28页 |
| ·氧沉淀的形核 | 第28-30页 |
| ·均质形核 | 第28-30页 |
| ·异质形核 | 第30页 |
| ·氧沉淀的生长 | 第30-35页 |
| ·热处理温度、时间和步骤对氧沉淀形核、生长的影响 | 第35-37页 |
| ·层错位错的生成 | 第37-38页 |
| ·氧沉淀及层错位错的研究方法 | 第38-47页 |
| 第三章 高压热处理对直拉硅中微缺陷生成的影响 | 第47-73页 |
| ·高压对氧沉淀行为的影响 | 第48-58页 |
| ·高温预处理对直拉硅单晶样品洁净区的影响 | 第58-66页 |
| ·高压对热施主生成和消除的影响 | 第66-71页 |
| 第三章 总结 | 第71-73页 |
| 第四章 氮掺杂对直拉硅中微缺陷的影响 | 第73-101页 |
| ·微氮直拉硅中氮杂质对氧沉淀的影响 | 第74-85页 |
| ·微氮直拉硅中氮杂质对氧化诱生层错的影响 | 第85-92页 |
| ·微氮直拉硅中氮杂质对器件工艺诱生缺陷的影响 | 第92-100页 |
| 第四章 总结 | 第100-101页 |
| 第五章 快速热处理对直拉硅样品中缺陷生成的影响 | 第101-112页 |
| ·快速热处理对重掺硼和轻掺硼样品中微缺陷生成的影响 | 第102-106页 |
| ·快速热处理对重掺硼和轻掺硼样品洁净区的影响 | 第106-111页 |
| 第五章 总结 | 第111-112页 |
| 第六章 总结 | 第112-115页 |
| 参考文献 | 第115-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 在读期间发表文章 | 第126-127页 |