| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-27页 |
| 2．1 Ⅲ族氮化物的物理性质 | 第11-15页 |
| 2．2 GaN材料的制备方法 | 第15-18页 |
| 2．2．1 GaN体单晶生长 | 第15页 |
| 2．2．2 GaN外延生长技术 | 第15-18页 |
| 2．3 GaN材料的掺杂 | 第18-19页 |
| 2．4 GaN材料的器件应用 | 第19-26页 |
| 2．4．1 微电子应用 | 第19-22页 |
| 2．4．2 光电子应用 | 第22-26页 |
| 2．5 立题思路和意义 | 第26-27页 |
| 第三章 金属与GaN的欧姆接触 | 第27-44页 |
| 3．1 引言 | 第27-30页 |
| 3．2 欧姆接触率测试原理和方法 | 第30-34页 |
| 3．3 标准器件工艺和lift-off工艺 | 第34-39页 |
| 3．4 n-GaN欧姆接触电阻率定量研究实验 | 第39-43页 |
| 3．5 结论 | 第43-44页 |
| 第四章 AlGaN肖特基二极管的初步研究 | 第44-58页 |
| 4．1 引言 | 第44-47页 |
| 4．2 实验过程 | 第47-49页 |
| 4．3 器件性能与分析 | 第49-57页 |
| 4．3．1 二极管的Ⅰ—Ⅴ特性 | 第49-52页 |
| 4．3．2 退火后二极管的Ⅰ—Ⅴ特性 | 第52-54页 |
| 4．3．3 AlGaN肖特基二极管势垒高度的表征和计算 | 第54-57页 |
| 4．4 结论 | 第57-58页 |
| 第五章 多晶GaN材料的生长 | 第58-67页 |
| 5．1 GaN外延生长系统 | 第58-60页 |
| 5．1．1 热蒸发设备 | 第58-59页 |
| 5．1．2 氨气氮化设备 | 第59-60页 |
| 5．2 多晶GaN生长工艺 | 第60页 |
| 5．3 测试结果与分析 | 第60-66页 |
| 5．3．1 X射线衍射分析 | 第60-63页 |
| 5．3．2 紫外光吸收光谱分析 | 第63-65页 |
| 5．3．3 多晶GaN扫描电子显微分析 | 第65-66页 |
| 5．4 实验结论 | 第66-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 硕士期间发表和已投的文章 | 第74页 |