低剂量超薄SIMOX圆片制备技术的应用研究
| 致谢 | 第1-3页 |
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-30页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·SOI技术综述 | 第12-13页 |
| ·SIMOX技术的发展 | 第13-17页 |
| ·SIMOX的制备与改善SIMOX质量的途径 | 第13-15页 |
| ·国内外SIMOX技术水平及其发展趋势 | 第15-17页 |
| ·SIMOX技术同其它SOI技术的比较 | 第17-21页 |
| ·SIMNI | 第18页 |
| ·SOS | 第18-19页 |
| ·BESOI | 第19-20页 |
| ·FIPOS、ZMR等 | 第20页 |
| ·SMART-CUT | 第20-21页 |
| ·SIMOX电路和器件 | 第21-26页 |
| ·抗辐照器件 | 第23-24页 |
| ·耐高温器件 | 第24-25页 |
| ·低压低功耗电路 | 第25-26页 |
| ·存储器芯片 | 第26页 |
| ·光通讯 | 第26页 |
| ·本论文的工作 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第二章 低能低剂量氧离子注入形成SIMOX材料 | 第30-51页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·实验方法 | 第31-41页 |
| ·XTEM | 第32-34页 |
| ·SIMS | 第34-36页 |
| ·Cu-plating表征 | 第36页 |
| ·SOI圆片的顶层硅和BOX层的厚度均匀性 | 第36-40页 |
| ·AFM | 第40-41页 |
| ·低剂量SIMOX样品的抗总剂量效应的研究 | 第41-49页 |
| ·SOI材料总剂量辐照效应的概述 | 第41-43页 |
| ·SOI材料C-V特性的辐照实验 | 第43-47页 |
| ·实验结果与讨论 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 能量和剂量与SIMOX材料质量的关系 | 第51-69页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·实验方法 | 第51-54页 |
| ·XTEM | 第52页 |
| ·RBS | 第52-54页 |
| ·结果分析 | 第54-61页 |
| ·IRIS模拟分析与讨论 | 第61-65页 |
| ·模型 | 第62-63页 |
| ·模拟结果 | 第63-65页 |
| ·原注入样品的XTEM分析 | 第65-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第四章 缺陷引入BOX-SIMOX材料制备 | 第69-83页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·实验方法 | 第70-81页 |
| ·小结 | 第81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第五章 退火对SIMOX形成的影响 | 第83-97页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·退火过程中SOI结构的形成机制讨论 | 第83-86页 |
| ·退火过程中氧的退火动力学过程研究 | 第86-93页 |
| ·退火对DIBOX工艺形成SOI结构的影响 | 第93-95页 |
| ·结论 | 第95页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 第六章 SIMOX材料的正电子湮没测试 | 第97-110页 |
| ·引言 | 第97页 |
| ·实验方法 | 第97-108页 |
| ·正电子设备与测试 | 第97-99页 |
| ·结果与讨论 | 第99-108页 |
| ·小结 | 第108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 结论 | 第110-112页 |
| 发表文章目录 | 第112-114页 |
| 作者简历 | 第114页 |
