| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| ·纳米技术 | 第9-10页 |
| ·纳米电子技术 | 第10-11页 |
| ·纳米结构中的量子效应 | 第11-13页 |
| ·量子尺寸效应 | 第11-12页 |
| ·量子隧穿效应 | 第12页 |
| ·库仑阻塞(Coulomb blockade) | 第12-13页 |
| ·世界各国的纳米发展战略 | 第13-17页 |
| ·论文的主要内容 | 第17-19页 |
| ·为撰写本博士论文所开展的主要工作 | 第17-18页 |
| ·本文的内容安排 | 第18-19页 |
| 2 纳米结构概述 | 第19-33页 |
| ·量子线和量子点 | 第19-20页 |
| ·量子线和量子点的制备技术发展及应用 | 第20-22页 |
| ·光刻技术的发展 | 第22-23页 |
| ·电子束光刻技术 | 第23-27页 |
| ·电子束曝光的含义 | 第23-25页 |
| ·电子束的波长 | 第25-26页 |
| ·电子束光刻胶 | 第26页 |
| ·电子束光刻的工艺过程 | 第26-27页 |
| ·扫描隧道显微镜纳米结构检测和加工技术 | 第27-29页 |
| ·原子力显微镜的纳米结构检测和加工技术 | 第29-30页 |
| ·反应离子刻蚀技术 | 第30-31页 |
| ·剥离技术(lift-off technique) | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 几种纳米结构的制备 | 第33-43页 |
| ·电子束光刻与光学光刻的对准匹配 | 第33-35页 |
| ·用EBL和RIE技术制备量子线 | 第35-37页 |
| ·用EBL和剥离技术制备纳米金属栅 | 第37-40页 |
| ·用EBL和RIE技术制备量子点 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 单电子晶体管 | 第43-81页 |
| ·单电子晶体管发展概述 | 第43-48页 |
| ·单电子晶体管的工作原理 | 第48-56页 |
| ·量子点电路的工作原理 | 第49-52页 |
| ·单电子晶体管电路 | 第52-56页 |
| ·单电子晶体管的类型 | 第56-61页 |
| ·单岛单电子晶体管 | 第56-59页 |
| ·多岛单电子晶体管 | 第59-61页 |
| ·单电子晶体管的设计及制造工艺 | 第61-65页 |
| ·结构设计 | 第61-62页 |
| ·工艺实验 | 第62-65页 |
| ·单电子晶体管特性测量系统 | 第65-70页 |
| ·测量系统Ⅰ | 第66-67页 |
| ·测量系统Ⅱ | 第67-68页 |
| ·测量系统Ⅲ | 第68-70页 |
| ·单电子晶体管的特性分析 | 第70-74页 |
| ·磁场下的单电子晶体管特性 | 第74-75页 |
| ·单电子晶体管的应用 | 第75-80页 |
| ·单电子存储器 | 第76-78页 |
| ·电子、电流检测和基准器件 | 第78-79页 |
| ·单电子逻辑电路 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 5 单电子晶体管特性的计算机模拟 | 第81-94页 |
| ·单电子晶体管特性的计算机模拟方法 | 第81-87页 |
| ·单电子晶体管特性的Monte Carlo方法模拟 | 第82-84页 |
| ·单电子晶体管特性的PSPICE电路模拟 | 第84-87页 |
| ·模拟结果 | 第87-92页 |
| ·单电子晶体管特性的Monte Carlo方法模拟结果 | 第87-90页 |
| ·单电子晶体管特性的PSPICE电路模拟结果 | 第90-92页 |
| ·模拟结果与实验结果的比较讨论 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 6 工作总结 | 第94-98页 |
| ·主要工作和结论 | 第94-96页 |
| ·主要创新点 | 第96页 |
| ·工作展望 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-111页 |
| 在读博士学位期间发表的研究论文 | 第111-112页 |
