| 第一章 绪论 | 第1-25页 |
| ·砷化镓材料 | 第8-10页 |
| ·砷化镓基本性质 | 第8-9页 |
| ·砷化镓表面 | 第9-10页 |
| ·表面研究方法 | 第10-13页 |
| ·砷化镓表面研究现状 | 第13-23页 |
| ·表面基本化学特性的研究 | 第13-17页 |
| ·表面几何结构研究 | 第13-14页 |
| ·表面化学组成研究 | 第14-16页 |
| ·表面反应特性研究 | 第16-17页 |
| 1 3.2 表面钝化研究 | 第17-23页 |
| ·表面氧化 | 第18-21页 |
| ·表面硫钝化 | 第21-23页 |
| ·其他钝化 | 第23页 |
| ·论文研究内容 | 第23-24页 |
| ·本课题研究意义 | 第24-25页 |
| 第二章 实验装置及分析方法 | 第25-35页 |
| ·实验装置 | 第25-27页 |
| ·惰性气体或氮气保护进样装置 | 第25-26页 |
| ·紫外光/臭氧处理装置 | 第26-27页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析方法 | 第27-35页 |
| ·基本原理 | 第27-28页 |
| ·XPS测量半导体材料结合能的原理 | 第28-29页 |
| ·XPS测量表面化学计量比的原理 | 第29-31页 |
| ·XPS测量氧化层厚度的原理 | 第31-32页 |
| ·仪器构成 | 第32-33页 |
| ·XPS测试条件设定 | 第33-35页 |
| ·谱线选择 | 第33页 |
| ·通过能选择 | 第33页 |
| ·样品位置调节 | 第33-35页 |
| 第三章 砷化镓晶片表面自然氧化层特性研究 | 第35-55页 |
| ·研究方法 | 第35-36页 |
| ·结果及讨论 | 第36-49页 |
| ·砷化镓晶片表面污染物 | 第36-37页 |
| ·砷化镓晶片表面晶体完整性 | 第37-40页 |
| ·砷化镓晶片表面化学元素组成及价态 | 第40-46页 |
| ·表面元素组成 | 第40-41页 |
| ·表面化合物组成 | 第41-44页 |
| ·表面自然氧化层镓砷比及厚度 | 第44-46页 |
| ·砷化镓抛光片表面氧的深度分布 | 第46-49页 |
| ·砷化镓表面自然氧化层形成机理分析 | 第49-53页 |
| ·砷化镓表面晶体完整性对自然氧化层形成的影响 | 第49-50页 |
| ·砷化镓表面自然氧化的热力学分析 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 砷化镓晶片表面硫钝化研究 | 第55-65页 |
| ·研究方法 | 第55-56页 |
| ·结果与讨论: | 第56-61页 |
| ·用Na2S?9H2O 溶液进行钝化处理 | 第56-58页 |
| ·用(NH4)2S溶液进行钝化处理 | 第58-61页 |
| ·用Lewis酸碱理论分析砷化镓表面硫钝化 | 第61-64页 |
| ·Lewis酸碱理论简介 | 第61-62页 |
| ·硫化物在溶液中软硬度的变化以及与GaAs表面的作用 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 紫外光激发下砷化镓的表面氧化反应 | 第65-87页 |
| ·前言 | 第65页 |
| ·研究方法 | 第65-67页 |
| ·样品 | 第65页 |
| ·样品编号及处理过程 | 第65-67页 |
| ·XPS测试 | 第67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-79页 |
| ·紫外光/臭氧氧化处理对GaAs表面组成的影响 | 第67-71页 |
| ·反应气氛对紫外光激发GaAs表面氧化的影响 | 第71-74页 |
| ·大气环境中紫外光激发的砷化镓表面氧化 | 第72-73页 |
| ·高纯氧环境中紫外光激发的砷化镓表面氧化 | 第73-74页 |
| ·紫外光辐照强度对砷化镓表面氧化的影响 | 第74-75页 |
| ·砷化镓表面与紫外光源的距离对GaAs表面氧化的影响 | 第75-76页 |
| ·辅助臭氧发生装置对砷化镓表面紫外光氧化的影响 | 第76-79页 |
| ·反应机理及动力学分析 | 第79-86页 |
| ·反应机理分析 | 第79-84页 |
| ·反应过程动力学分析 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第六章 紫外光/臭氧处理后砷化镓表面特性研究 | 第87-95页 |
| ·研究方法 | 第87-88页 |
| ·结果与讨论: | 第88-94页 |
| ·处理法法对砷化镓晶片表面形貌的影响 | 第88-89页 |
| ·处理方法对砷化镓晶片在空气中的化学稳定性的影响 | 第89-92页 |
| ·处理方法对砷化镓晶片光致发光性能的影响 | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第七章 紫外光/臭氧处理在砷化镓器件中的应用 | 第95-100页 |
| ·实验 | 第95-97页 |
| ·器件结构 | 第95-96页 |
| ·器件制作工艺过程 | 第96-97页 |
| ·砷化镓晶片表面处理 | 第97页 |
| ·GaAs MESFET性能测试 | 第97页 |
| ·应用结果: | 第97-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第八章 全文总结 | 第100-103页 |
| ·主要成果及创新 | 第100-102页 |
| ·展望 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-117页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第117-118页 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 | 第118-119页 |
| 附录 | 第119-121页 |
| 致 谢 | 第121页 |