| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-26页 |
| ·硅基微电子技术概述 | 第9-18页 |
| ·硅基微电子技术的蓬勃发展 | 第9页 |
| ·硅基微电子技术面临的挑战 | 第9-10页 |
| ·新的技术突破 | 第10-17页 |
| ·SOI技术 | 第10-12页 |
| ·SiGe技术 | 第12-16页 |
| ·应变硅技术 | 第16-17页 |
| ·硅基微电子技术的发展趋势 | 第17-18页 |
| ·硅基光电子发展概述 | 第18-22页 |
| ·硅基发光的曙光 | 第18-19页 |
| ·硅基发光的困难与启发 | 第19-20页 |
| ·硅基发光研究的新进展 | 第20-21页 |
| ·硅基发光理论研究 | 第21-22页 |
| ·本论文工作 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 SiGe薄膜生长及表征 | 第26-50页 |
| ·引言 | 第26-29页 |
| ·SiGe生长技术 | 第26页 |
| ·SiGe薄膜生长的临界厚度 | 第26-27页 |
| ·Si上外延无应变SiGe层的缓冲层问题 | 第27-29页 |
| ·SiGe薄膜生长 | 第29-32页 |
| ·超高真空化学气相沉积(UHVCVD)系统 | 第29页 |
| ·实验过程 | 第29-30页 |
| ·薄膜生长机理 | 第30-32页 |
| ·SiGe材料表征 | 第32-40页 |
| ·俄歇电子谱(AES) | 第32页 |
| ·四晶衍射(摇摆曲线) | 第32-36页 |
| ·卢瑟福背散射／沟道(RBS／C) | 第36-38页 |
| ·透射电镜(TEM)观察 | 第38-39页 |
| ·表面形貌 | 第39页 |
| ·SiGe薄膜的热稳定性 | 第39-40页 |
| ·H离子注入对SiGe薄膜材料的调制作用 | 第40-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 SIMOX技术制备SGOI新结构 | 第50-84页 |
| ·前人在SiGe SIMOX制备方面的成果与不足 | 第50-53页 |
| ·本论文的实验设计 | 第53-54页 |
| ·实验条件 | 第54-55页 |
| ·高温退火前的注入样品分析 | 第55-58页 |
| ·注入氧的深度分布模拟 | 第55-57页 |
| ·注入样品的卢瑟福背散射／沟道谱(RBS／C)研究 | 第57-58页 |
| ·高温退火后的注入样品分析 | 第58-68页 |
| ·退火样品的傅立叶红外吸收谱(FTIR)分析 | 第58-59页 |
| ·退火样品的卢瑟福背散射／沟道谱(RBS／C)研究 | 第59-61页 |
| ·退火样品的俄歇电子能谱(AES)分析 | 第61-62页 |
| ·退火样品表面溅射坑的扫描电镜(SEM)观察 | 第62-65页 |
| ·退火样品剖面结构的透射电镜(XTEM)观察 | 第65页 |
| ·退火样品表面形貌的原子力显微镜(AFM)观察 | 第65-66页 |
| ·退火样品的四晶衍射研究 | 第66-68页 |
| ·改变注入能量和剂量的RBS／C研究 | 第68-72页 |
| ·多层结构尝试 | 第72-77页 |
| ·关于SGOI材料制备的讨论 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第四章 PIII氢注入硅的发光研究 | 第84-107页 |
| ·H注入Si材料的研究 | 第84-86页 |
| ·实验制备 | 第86-87页 |
| ·等离子体浸没式离子注入(PIII)与束线离子注入(Beamline)技术 | 第86-87页 |
| ·样品制备过程 | 第87页 |
| ·光致发光(Photoluminescence，PL) | 第87-100页 |
| ·PL测试过程 | 第87-88页 |
| ·Si带隙附近波段PL谱分析与讨论 | 第88-93页 |
| ·可见光波段PL谱分析 | 第93-97页 |
| ·表面含氧化层样品的注H发光研究 | 第97-100页 |
| ·电致发光 | 第100-103页 |
| ·本章小结 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 第五章 PIII技术制备SiC薄膜 | 第107-127页 |
| ·硅基材料-碳化硅概述 | 第107-109页 |
| ·碳化硅简介 | 第107-108页 |
| ·离子注入技术在SiC领域的应用 | 第108-109页 |
| ·实验制备 | 第109-112页 |
| ·实验装置 | 第109-110页 |
| ·“自辉光放电”工作模式 | 第110-111页 |
| ·制备过程 | 第111-112页 |
| ·实验结果及讨论 | 第112-123页 |
| ·模拟注入分布 | 第112-113页 |
| ·注入分布的SIMS分析 | 第113-116页 |
| ·傅立叶红外吸收谱(FTIR)分析 | 第116-120页 |
| ·拉曼谱(Raman)分析 | 第120-121页 |
| ·光致发光谱(PL)分析 | 第121-123页 |
| ·本章小结 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-127页 |
| 第六章 总结与展望 | 第127-130页 |
| ·总结 | 第127-128页 |
| ·实验制备 | 第128-130页 |
| 发表论文及专利申请 | 第130-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 简历 | 第136-137页 |
| 附件一 | 第137页 |
