| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| §1-1 Ⅲ-Ⅴ族基DMS材料的由来简介 | 第9页 |
| §1-2 掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料的重要地位 | 第9-10页 |
| §1-3 掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料研究现状及其存在的问题 | 第10-11页 |
| §1-4 选题的目的及意义 | 第11页 |
| §1-5 本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 常见几种掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料介绍 | 第13-24页 |
| §2-1 半绝缘GaAs材料基本简介 | 第13-14页 |
| 2-1-1 半绝缘GaAs材料性质介绍 | 第13-14页 |
| 2-1-2 半绝缘GaAs的制备简介 | 第14页 |
| §2-2 磁性材料简介 | 第14-19页 |
| 2-2-1 磁性材料性质简介 | 第14-15页 |
| 2-2-2 磁学发展史 | 第15-17页 |
| 2-2-3 磁性材料应用 | 第17-18页 |
| 2-2-4 磁性Mn原子简介 | 第18-19页 |
| §2-3 DMS材料性质及应用 | 第19-21页 |
| §2-4 掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料简介 | 第21-24页 |
| 第三章 掺Mn GaAs样品的制备 | 第24-29页 |
| §3-1 离子注入制备方法 | 第24-28页 |
| 3-1-1 离子注入法的特点 | 第24-25页 |
| 3-1-2 离子注入法在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs中的应用特点 | 第25-27页 |
| 3-1-3 Mn~+离子注入GaAs的工艺过程 | 第27-28页 |
| §3-2 扩散制备方法 | 第28-29页 |
| 3-2-1 扩散工艺原理 | 第28页 |
| 3-2-2 Mn扩散GaAs的工艺过程 | 第28-29页 |
| 第四章 掺Mn GaAs样品的性质测定 | 第29-44页 |
| §4-1 离子注入样品的性质测定 | 第29-41页 |
| 4-1-1 PL（扫描光荧光谱技术）测试 | 第29-32页 |
| 4-1-2 霍尔测试 | 第32-37页 |
| 4-1-3 X射线测试 | 第37-39页 |
| 4-1-4 C-V测试 | 第39-40页 |
| 4-1-5 结论 | 第40-41页 |
| §4-2 扩散样品的性质测定 | 第41-44页 |
| 4-2-1 表面形貌观测 | 第41-42页 |
| 4-2-2 C-V测试 | 第42页 |
| 4-2-3 讨论 | 第42-44页 |
| 第五章 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 攻读学位期间所取得的科研成果 | 第49页 |
